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龙图腾网获悉中芯集成电路(宁波)有限公司申请的专利体声波谐振器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119543871B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411631378.1，技术领域涉及：H03H9/17；该发明授权体声波谐振器及其制作方法是由谷成进;刘志敏设计研发完成，并于2024-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本体声波谐振器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种体声波谐振器及其制作方法，该体声波谐振器，包括：衬底；压电叠层结构，位于衬底上，压电叠层结构包括从下至上依次层叠的下电极层、压电层和上电极层；反射环结构，位于上电极层上并沿有谐振器的效谐振区边缘分布，反射环结构包括从下至上层叠的环形支撑部和环形质量调节部，反射环结构在垂直于压电叠层方向的截面上，环形支撑部的截面宽度小于环形质量调节部的截面宽度。本发明能够实现对谐振器横波有效抑制，提高谐振器性能，以及简化同时制作不同频率谐振器的工艺制程，降低工艺成本。

本发明授权体声波谐振器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种体声波谐振器的制作方法，其特征在于，包括： 在衬底上形成压电叠层结构，所述压电叠层结构包括从下至上依次层叠的下电极层、压电层和上电极层； 在所述上电极层上形成反射环结构，所述反射环结构沿谐振器的工作区边缘分布，所述反射环结构包括从下至上层叠的环形支撑部和环形质量调节部，所述反射环结构在垂直于所述压电叠层方向的截面上，所述环形支撑部的截面宽度小于所述环形质量调节部的截面宽度； 在所述上电极层上形成反射环结构包括： 在所述上电极层上形成第二材料层； 在所述第二材料层上形成第三材料层； 在所述第三材料层上形成第二光刻胶层； 图案化所述第二光刻胶层，形成沿所述工作区边缘分布的第二环形光刻胶掩膜； 刻蚀去除所述第二环形光刻胶掩膜覆盖范围以外的第三材料层和第二材料层，剩余的第三材料层和第二材料层在所述上电极层上形成上下层叠的环形结构，所述环形结构中位于上层的第三材料层形成所述环形质量调节部； 去除所述第二环形光刻胶掩膜； 对所述环形结构中位于下层的第二材料层的侧壁进行侧向刻蚀，以减小第二材料层的宽度，形成所述环形支撑部。

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