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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种新型异质结场板氧化镓MOSFET器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119521725B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411591195.1，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权一种新型异质结场板氧化镓MOSFET器件是由李向楠;魏杰;吴宇鑫;谭佳蕾;马昕宇;刘继忠;魏雨夕;罗小蓉设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种新型异质结场板氧化镓MOSFET器件在说明书摘要公布了：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种新型异质结场板氧化镓MOSFET器件。异质结场板由漂移区上方的P型氧化物和漏极侧再生长的氧化镓构成，能起到调制器件表面电场分布的作用，提升器件耐压。P型氧化物和漂移区氧化镓的作用类似于超结的PN柱，引入辅助耗尽效应，提高漂移区掺杂浓度，降低导通电阻，并且没有硅基横向器件带来的衬底辅助耗尽效应，能更好的调控电荷平衡。P型氧化物采用溅射工艺，避免了刻蚀带来的界面问题。

本发明授权一种新型异质结场板氧化镓MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种新型异质结场板氧化镓MOSFET器件，包括沿器件垂直方向自下而上依次层叠设置的氧化镓衬底层1、氧化镓缓冲层2、氧化镓外延层3； 其特征在于，在氧化镓外延层3上表面两端分别具有N+源极区5和N+漏极区6，并且N+源极区5和N+漏极区6的底部嵌入氧化镓外延层3上层；在N+源极区5和N+漏极区6的上表面分别具有源电极11和漏电极12；在N+源极区5和N+漏极区6之间的氧化镓外延层3上表面具有介质层10，介质层10的上表面与N+源极区5和N+漏极区6的上表面沿器件横向方向齐平；在介质层10上层与N+漏极区6接触的一侧具有相连接的第一P型氧化物8和第二P型氧化物7，其中第二P型氧化物7的侧面与N+漏极区6的侧面接触，从而第一P型氧化物8、第二P型氧化物7和N+漏极区6构成异质结场板结构；在第一P型氧化物8的上表面具有HFP电极13，HFP电极13与源电极11连接； 在第一P型氧化物8与N+源极区5之间的介质层10中具有栅电极9，栅电极9的下端嵌入在介质层10中并与氧化镓外延层3的上表面具有间距；栅电极9的上端延伸出介质层10中，栅电极9的两端与N+源极区5和第一P型氧化物8之间具有间距；在栅电极9下方的氧化镓外延层3中具有热氧化区域4，所述热氧化区域4沿垂直方向贯穿氧化镓外延层3，热氧化区域4的下表面与氧化镓缓冲层2的上表面接触，热氧化区域4的上表面与介质层10的下表面接触。

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