北京工业大学翟天瑞获国家专利权
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龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利基于强取向性发光层的高外量子效率有机深红/近红外发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486543B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411554931.6，技术领域涉及：H10K71/00；该发明授权基于强取向性发光层的高外量子效率有机深红/近红外发光二极管是由翟天瑞;宋宁宁;梁宁宁设计研发完成，并于2024-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于强取向性发光层的高外量子效率有机深红/近红外发光二极管在说明书摘要公布了：基于强取向性发光层的高外量子效率有机深红近红外发光二极管，属于二极管技术领域。本发明通过调节偏心距离、吸盘转速、溶剂体系等因素，调整水平偶极子分子取向比，使用溶液法低成本制备出波长可控的性能优异的有机深红近红外发光二极管，同时显著提升器件性能。该有机深红近红外发光二极管发光范围为600‑850nm，最佳性能器件的外量子效率可高达约18％。
本发明授权基于强取向性发光层的高外量子效率有机深红/近红外发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种基于强取向性发光层的高外量子效率有机深红近红外发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤A：准确称量PVK作为发光层主体材料、TPAAP作为发光层客体材料，将发光层主客体材料制备成发光层混合物溶液，采用溶剂溶解； 步骤B：在预先准备的ITO玻璃基底上旋涂空穴注入层PEDOT：PSS，然后退火处理； 步骤C：然后在空穴注入层PEDOT：PSS上旋涂空穴传输层PVK并进行退火处理； 步骤D：将步骤C中得到的基底放置于大转盘上，基底距大转盘旋转中心距离为0.5-5cm，取步骤A中发光层混合物溶液采用偏心旋涂的方式迅速旋涂成膜；转速控制在1500-4000rpm之间； 步骤E：将步骤D得到的薄膜在60-130℃下退火10-30min，降温之后将需被阳极覆盖位置除去； 步骤F：步骤E所得的除去阳极位置的发光层转移进真空蒸镀仓，在发光层上依次蒸镀电子传输层TmPyPB、电子注入层LiF、阴极Al即可得到有机深红近红外发光二极管。
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