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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种三维动态随机存取存储器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421413B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411482419.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种三维动态随机存取存储器及其制造方法是由杨冠华;张轩铭;廖福锡;李泠设计研发完成，并于2024-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三维动态随机存取存储器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种三维动态随机存取存储器及其制造方法，涉及存储器技术领域，以用于提高动态随机存取存储器的存储密度、且增大晶体管包括的源区和漏区分别与接触结构或电容之间的接触面积，降低接触电阻，改善漏电。所述三维动态随机存取存储器包括呈立体阵列分布的多个存储单元以及用于将不同存储单元隔离开的介质结构。每个存储单元包括晶体管和电容。晶体管包括：栅极、栅介质层、沟道区、源区和漏区；沟道区的长度方向平行于第二方向，且沟道区沿长度方向的两侧壁相对于相应第一介质部的侧壁向内凹入，以形成凹口。源区和漏区覆盖在凹口的内壁上。所述三维动态随机存取存储器的制造方法用于制造上述三维动态随机存取存储器。

本发明授权一种三维动态随机存取存储器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种三维动态随机存取存储器，其特征在于，包括：呈立体阵列分布的多个存储单元、以及用于将不同所述存储单元隔离开的介质结构；所述呈立体阵列分布的多个存储单元包括沿第一方向间隔分布的多层存储层，每层所述存储层包括沿第二方向间隔分布的多个存储组，每个存储组包括沿第三方向分布的多个所述存储单元；所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向互不相同； 每个所述存储单元包括：晶体管和电容；所述介质结构包括位于沿所述第一方向间隔分布的两个所述晶体管之间的第一介质部； 所述晶体管包括：栅极、栅介质层、沟道区、源区和漏区；所述沟道区的长度方向平行于所述第二方向，且所述沟道区沿长度方向的两侧壁相对于相应所述第一介质部的侧壁向内凹入，以形成凹口；所述源区和所述漏区分别设置在所述沟道区沿长度方向的两侧、且覆盖在所述凹口的内壁上；所述栅介质层位于所述栅极分别与所述沟道区、所述源区和所述漏区之间； 所述电容与所述晶体管的源区或漏区电连接。

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