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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利SiC MOSFET功率循环测试栅极动态偏置控制方法及控制终端获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119247083B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411348059.X，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权SiC MOSFET功率循环测试栅极动态偏置控制方法及控制终端是由桂明洋;迟雷;安伟;陈龙坡;焦龙飞;彭浩;杨继;周晓黎设计研发完成，并于2024-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本SiC MOSFET功率循环测试栅极动态偏置控制方法及控制终端在说明书摘要公布了：本发明提供一种SiCMOSFET功率循环测试栅极动态偏置控制方法及控制终端。该方法包括：一个周期的功率循环测试中，在功率循环的关断周期先对目标MOSFET的栅极施加反向偏置电压，平衡开启周期内正向偏置电压的影响，使阈值电压保持稳定；并在下一个循环开始前对目标MOSFET的栅极施加正向偏置电压，同时，根据上一周期的参数动态调整当前周期的正向偏置时长，从而使栅氧电荷状态处于接近的水平，各个循环试验周期稳定，提高了各个试验周期的测量结果之间的可比性。基于以上，可以有效抑制阈值电压的漂移，使得阈值电压在整个试验周期内保持相对稳定，从而提高了阈值电压监测的准确性。

本发明授权SiC MOSFET功率循环测试栅极动态偏置控制方法及控制终端在权利要求书中公布了：1.一种SiCMOSFET功率循环测试栅极动态偏置控制方法，其特征在于，包括： 重复执行多周期的功率循环测试； 获取各个周期的结温，并根据各个周期的结温变化，确定目标MOSFET的老化状况； 其中，一个周期的功率循环测试包括： 为所述目标MOSFET的栅极施加第一预设时长的正向偏置电压，并为所述目标MOSFET的漏极提供热加热电流，使得所述目标MOSFET升温达到热平衡； 为所述目标MOSFET的栅极施加第二预设时长的反向偏置电压，并关断所述目标MOSFET的漏极电流，使得所述目标MOSFET降温达到热平衡，检测所述目标MOSFET达到热平衡时的阈值电压，并记为第一阈值电压； 根据上一周期的第一阈值电压、上一周期的第二阈值电压及当前周期的第一阈值电压，确定当前周期的正向偏置时长，并将所述当前周期的正向偏置时长作为新的第三时长； 为所述目标MOSFET的栅极施加所述第三时长的正向偏置电压，并关断所述目标MOSFET的漏极电流，在所述第三时长结束的时刻检测所述目标MOSFET的阈值电压，并记为第二阈值电压； 所述根据上一周期的第一阈值电压、上一周期的第二阈值电压及当前周期的第一阈值电压，确定当前周期的正向偏置时长，并将所述当前周期的正向偏置时长作为新的第三时长，包括： 根据所述上一周期的第一阈值电压、所述上一周期的第二阈值电压及上一周期的第三时长，确定当前周期的反馈系数； 根据所述当前周期的反馈系数、基准阈值电压及所述当前周期的第一阈值电压，确定所述当前周期的正向偏置时长； 将所述当前周期的正向偏置时长作为新的第三时长； 所述根据所述上一周期的第一阈值电压、所述上一周期的第二阈值电压及上一周期的第三时长，确定当前周期的反馈系数，包括： 根据所述上一周期的第一阈值电压、所述上一周期的第二阈值电压及所述上一周期的第三时长，结合第一公式确定所述当前周期的反馈系数； 所述第一公式为： 其中，为第个周期的反馈系数，为第个周期的第二阈值电压，为第第个周期的第与阈值电压，为第个周期的第三时长；； 所述根据所述当前周期的反馈系数、基准阈值电压及所述当前周期的第一阈值电压，确定所述当前周期的正向偏置时长，包括： 根据所述当前周期的反馈系数、所述基准阈值电压及所述当前周期的第一阈值电压，结合第二公式确定所述当前周期的正向偏置时长； 所述第二公式包括： 其中，为第个周期的正向偏置时长，为所述基准阈值电压，为第个周期的第一阈值电压，为第个周期的反馈系数。

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