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龙图腾网获悉日立能源有限公司申请的专利具有用于空穴提取的互补沟道的垂直IGBT获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119234314B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280096353.9，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权具有用于空穴提取的互补沟道的垂直IGBT是由G·古普塔设计研发完成，并于2022-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有用于空穴提取的互补沟道的垂直IGBT在说明书摘要公布了：半导体器件100包括具有顶侧10的半导体器件主体1、在顶侧上的主电极2和栅电极3。半导体主体包括第一导电类型的漂移层11、第二导电类型的第一基区12、第一导电类型的第二基区13、第一导电类型的第一接触区14和第二导电类型的第二接触区15。第二基区具有比漂移层更大的掺杂浓度。第一接触区邻接第一基区和顶侧。第二接触区邻接第二基区和顶侧。主电极与第一接触区和第二接触区电接触。在第一横向方向上，栅电极的至少一部分布置在第一接触区和第二接触区之间。在关断的情况下，在第二基区13中诱导空穴反转沟道以提取空穴。

本发明授权具有用于空穴提取的互补沟道的垂直IGBT在权利要求书中公布了：1.一种双极半导体器件100，包括： -具有顶侧10和背侧的半导体主体1， -在所述顶侧10上的主电极2， -在所述背侧上的另一主电极6，以及 -栅电极3，其中 -所述半导体主体1包括： -第一导电类型的漂移层11， -垂直布置在所述漂移层11和所述顶侧10之间的第二导电类型的第一基区12， -垂直布置在所述漂移层11和所述顶侧10之间的第一导电类型的第二基区13，所述第二基区13具有比所述漂移层11更大的掺杂浓度并且邻接所述漂移层11， -第一导电类型的第一接触区14，所述第一接触区14邻接所述第一基区12和所述顶侧10， -第二导电类型的第二接触区15，所述第二接触区15邻接所述第二基区13和所述顶侧10， -所述主电极2与所述第一接触区14和所述第二接触区15电接触， -在第一横向方向L1上，所述栅电极3的至少一部分布置在所述第一接触区14和所述第二接触区15之间以及所述第一基区12和所述第二基区13之间， -所述第一接触区14和或所述第一基区12与所述栅电极3之间的电隔离材料5的厚度大于所述第二接触区15和或所述第二基区13与所述栅电极3之间的电隔离材料5的厚度。

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