江西省晶能半导体有限公司余泓颖获国家专利权
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龙图腾网获悉江西省晶能半导体有限公司申请的专利荧光膜片及其制备方法、LED封装结构及其封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118841497B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411322004.1，技术领域涉及：H10H20/851；该发明授权荧光膜片及其制备方法、LED封装结构及其封装方法是由余泓颖;魏水林设计研发完成，并于2024-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本荧光膜片及其制备方法、LED封装结构及其封装方法在说明书摘要公布了：本发明提供的荧光膜片及其制备方法、LED封装结构及其封装方法，其中，荧光膜片在蓝光LED芯片的激发下发出白光，蓝光LED芯片的出光波段为440nm‑460nm，荧光膜片包括：第一荧光膜层，靠近蓝光LED芯片出光面一侧配置，且第一荧光膜层在蓝光LED芯片的激发下发出白光；第二荧光膜层，配置于第一荧光膜层表面，第二荧光膜层为单色粉荧光膜层，掺杂的单色荧光粉的峰值波长范围为470nm‑500nm。荧光膜片将能满足色温和显色指数要求的第一荧光膜层与能降低蓝光功率的第二荧光膜层结合在一起，通过简单的方案克服了现有技术中某些产品难以降低蓝光伤害的技术难题。
本发明授权荧光膜片及其制备方法、LED封装结构及其封装方法在权利要求书中公布了：1.一种荧光膜片制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 将峰值波长范围为470nm-500nm的单色荧光粉与硅胶均匀混合，涂覆于支撑膜表面形成第二荧光膜层，并烘烤为半固化状态； 将第一荧光粉与硅胶均匀混合，涂覆于第二荧光膜层表面形成第一荧光膜层，并烘烤为完全固化状态； 所述第一荧光膜层具有第一上表面和第一下表面，所述第二荧光膜层具有第二上表面和第二下表面，所述第一荧光膜层的第一上表面与所述第二荧光膜层的第二下表面接触，且所述第二荧光膜层的第二上表面的表面粗糙度小于所述第一荧光膜第一下表面的表面粗糙度； 荧光膜片包括第一荧光膜层和第二荧光膜层； 第二荧光膜层吸收蓝光将其转化为峰值波长范围为470nm-500nm的青绿光； 所述单色荧光粉的质量为硅胶质量的50%-100%。
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