中山大学;深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司韩灿获国家专利权
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龙图腾网获悉中山大学;深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司申请的专利一种透明导电氧化物薄膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118653123B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410936736.3，技术领域涉及：C23C14/28；该发明授权一种透明导电氧化物薄膜及其制备方法和应用是由韩灿;刘志斌;高平奇;张勇;余仲设计研发完成，并于2024-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种透明导电氧化物薄膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种透明导电氧化物薄膜及其制备方法和应用。本发明的透明导电氧化物薄膜的制备方法包括以下步骤：1将氩气和氧气作为反应气体，采用反应等离子体沉积法在衬底上沉积透明导电氧化物，控制沉积气压为0.1Pa～1Pa、水蒸气分压≤1×10‑3Pa，并控制沉积厚度≤50nm，得到表面形成有晶核的沉积薄膜；2将沉积薄膜置于空气氛围中进行退火，即得透明导电氧化物薄膜。本发明采用RPD技术，以氩气和氧气作为反应气体，通过严格控制水蒸气分压和沉积气压，沉积得到了高迁移率超薄TCO薄膜，该TCO薄膜可以应用在太阳电池中，可以减少TCO的消耗，有利于降低太阳电池的生产成本。
本发明授权一种透明导电氧化物薄膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将氩气和氧气作为反应气体，采用反应等离子体沉积法在衬底上沉积透明导电氧化物，控制沉积气压为0.1Pa～1Pa、水蒸气分压≤1×10-3Pa，并控制沉积厚度50nm，得到表面形成有晶核的沉积薄膜； 2将沉积薄膜置于空气氛围中进行退火，即得透明导电氧化物薄膜。
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