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龙图腾网获悉浙江德汇电子陶瓷有限公司;绍兴德汇半导体材料有限公司申请的专利一种覆铜陶瓷基板的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118457010B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410716417.1，技术领域涉及：B32B37/00；该发明授权一种覆铜陶瓷基板的制作方法是由黄世东;王顾峰;李志豪设计研发完成，并于2024-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种覆铜陶瓷基板的制作方法在说明书摘要公布了：本说明书实施例主要涉及覆铜陶瓷基板技术领域，具体为一种覆铜陶瓷基板的制作方法，包括以下步骤：S11.获取铜箔层；S12.获取陶瓷基板，并在陶瓷基板上开设第一通槽以得到第一陶瓷基板；S13.获取陶瓷基板，并在陶瓷基板上开设第二通槽以得到第二陶瓷基板；S21.在第一陶瓷基板开设第一通槽的相对面上设置第一焊料层；S22.在第二陶瓷基板开设第二通槽的面上设置第二焊料层；S31.将铜箔层以及第一陶瓷基板、第二陶瓷基板从上往下叠放以形成待焊接组件。本说明书实施例的覆铜陶瓷基板的制作方法，通过铜箔层、第一陶瓷基板和第二陶瓷基板配合形成覆铜陶瓷基板，不仅能够使得覆铜陶瓷基板的散热效果得到提升且不会影响覆铜陶瓷基板的翘曲度值。

本发明授权一种覆铜陶瓷基板的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种覆铜陶瓷基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： S11.获取铜箔层； S12.获取陶瓷基板，并在所述陶瓷基板上开设第一通槽以得到第一陶瓷基板； S13.获取陶瓷基板，并在所述陶瓷基板上开设第二通槽以得到第二陶瓷基板； S21.在所述第一陶瓷基板开设所述第一通槽的相对面上设置第一焊料层； S22.在所述第二陶瓷基板开设所述第二通槽的面上设置第二焊料层； S31.将所述铜箔层以及第一陶瓷基板、第二陶瓷基板从上往下叠放以形成待焊接组件；其中，所述待焊接组件的第一陶瓷基板的第一通槽与所述待焊接组件的第二陶瓷基板的第二通槽对接形成冷却水通道； S32.对所述待焊接组件进行焊接； 所述S12具体包括：通过精雕机在所述陶瓷基板的底面上雕刻出第一通槽； 所述第一通槽包括若干第一直槽部和若干第一弯槽部，一所述第一弯槽部连接相邻两所述第一直槽部，且位于所述第一通槽长度方向第一端的所述第一直槽部贯穿所述第一陶瓷基板的边侧以形成第一槽口A1，位于所述第一通槽长度方向第二端的所述第一直槽部贯穿所述第一陶瓷基板的边侧以形成第一槽口B1； 所述S13具体包括：通过精雕机在所述陶瓷基板的顶面上雕刻出第二通槽； 所述第二通槽包括若干第二直槽部和若干第二弯槽部，一所述第二弯槽部连接相邻两所述第二直槽部，且位于所述第二通槽长度方向第一端的所述第二直槽部贯穿所述第二陶瓷基板的边侧以形成第二槽口A2，位于所述第二通槽长度方向第二端的所述第二直槽部贯穿所述第二陶瓷基板的边侧以形成第二槽口B2； 所述S12中获取的陶瓷基板的厚度为0.5～1mm； 所述S13中获取的陶瓷基板的厚度为0.5～1mm； 所述第一通槽的高度为所述第一陶瓷基板厚度的0.7倍；所述第一通槽的宽度与所述第一陶瓷基板的厚度相同； 所述第二通槽的高度为所述第二陶瓷基板厚度的0.7倍；所述第二通槽的宽度与所述第二陶瓷基板的厚度相同。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江德汇电子陶瓷有限公司;绍兴德汇半导体材料有限公司，其通讯地址为：314006 浙江省嘉兴市南湖区亚太路778号(嘉兴科技城)9号楼二层北；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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