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龙图腾网获悉江苏集芯先进材料有限公司申请的专利用于区分磨面后4H导电型碳化硅晶锭和硅面的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118425238B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410527937.8，技术领域涉及：G01N27/04；该发明授权用于区分磨面后4H导电型碳化硅晶锭和硅面的方法是由陈传卫;徐玉婷设计研发完成，并于2024-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于区分磨面后4H导电型碳化硅晶锭和硅面的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于区分磨面后4H导电型碳化硅晶锭碳面和硅面的方法，包括以下步骤：S1：设待测晶锭两端面分别为A面和B面，获取待测晶锭A面和B面的电阻率平均值；S2：根据电阻率平均值获取待测晶锭A面和B面的电阻率均匀性，通过电阻率均匀性判断待测晶锭的碳面和硅面，从而区分出待测晶锭的碳面和硅面：设待测晶锭A面电阻率均匀性为UA，B面电阻率均匀性为UB，若UA＞UB，则待测晶锭A面为碳面，B面为硅面；若UA＜UB，则待测晶锭A面为硅面，B面为碳面。本发明能够准确区分出磨面后合格晶锭的碳面和硅面。

本发明授权用于区分磨面后4H导电型碳化硅晶锭和硅面的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于区分磨面后4H导电型碳化硅晶锭碳面和硅面的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：设待测晶锭两端面分别为A面和B面，获取待测晶锭A面和B面的电阻率平均值； S2：根据电阻率平均值获取待测晶锭A面和B面的电阻率均匀性，通过电阻率均匀性判断待测晶锭的碳面和硅面，从而区分出待测晶锭的碳面和硅面： 设待测晶锭A面电阻率均匀性为UA，B面电阻率均匀性为UB， 若UA＞UB，则待测晶锭A面为碳面，B面为硅面； 若UA＜UB，则待测晶锭A面为硅面，B面为碳面； 若待测晶锭A面和B面电阻率均匀性差值≤M，则执行步骤S3，所述步骤S3为：获取待测晶锭电阻率图谱图像，并通过该电阻率图谱图像判断出待测晶锭的碳面和硅面，从而区分出待测晶锭的碳面和硅面，具体方法如下： 第一种方法：通过电阻率测试仪采集待测晶锭A面和B面电阻率图谱图像；若待测晶锭A面电阻率图谱图像的电阻率最低区域位于边缘位置，B面电阻率图谱图像的电阻率最低区域位于非边缘位置，则待测晶锭A面为碳面，B面硅面；反之，则待测晶锭A面为硅面，B面为碳面； 第二种方法： S3.1通过电阻率测试仪采集待测晶锭A面或B面电阻率图谱，并将该待测晶锭图谱图像传送至控制模块； S3.2通过控制模块传送至图像比对模块，所述图像比对模块调取其预先存储的未磨晶锭的原始碳面电阻率图谱和原始硅面电阻率图谱，与接收到的待测晶锭图谱图像进行比对，并将比对结果传送至控制模块，设比对结果为：待测晶锭图谱图像与原始碳面电阻率图谱相似度为E，E≥0，与原始硅面电阻率图谱相似度为F，F≥0，控制模块对比对结果进行分析，并判断出待测晶锭图谱图像为碳面还是硅面： 若E＞F，则控制模块判断待测晶锭图像图谱为碳面； 若E＜F，则控制模块判断待测晶锭图像图谱为硅面； 控制模块将判断结果传送至显示模块显示。

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