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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种无片外电容的低功耗快速瞬态响应LDO电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118331366B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410480155.3，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种无片外电容的低功耗快速瞬态响应LDO电路是由罗萍;何天羿;王浩设计研发完成，并于2024-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种无片外电容的低功耗快速瞬态响应LDO电路在说明书摘要公布了：本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种无片外电容的低功耗快速瞬态响应LDO电路。包括LDO主体电路、第一比较器COMP1、第二比较器COMP2、HL脉冲产生电路、HL脉冲延时电路、LH脉冲产生电路、LH脉冲延时电路、重载跳变轻载的充电PMOS管MHL、轻载跳变重载的放电PMOS管MLH、充电屏蔽MOS管MPHL和放电屏蔽MOS管MPLH。比较器检测负载跳变，输出电平信号至脉冲产生电路进一步处理，通过开启充电或放电PMOS管快速改变LDO功率管栅极电压，在瞬间响应负载跳变；脉冲延时电路根据脉冲产生电路输出的窄负脉冲，产生宽负脉冲屏蔽另一PMOS管的开启。本发明所提出的电路，可广泛应用于电源管理系统，降低了系统功耗，减小了系统面积，增强了负载瞬态响应。

本发明授权一种无片外电容的低功耗快速瞬态响应LDO电路在权利要求书中公布了：1.一种无片外电容的低功耗快速瞬态响应LDO电路，其特征在于，包括LDO主体电路、第一比较器、第二比较器、HL脉冲产生电路、HL脉冲延时电路、LH脉冲产生电路、LH脉冲延时电路、重载跳变轻载的充电PMOS管、轻载跳变重载的放电PMOS管、充电屏蔽MOS管和放电屏蔽MOS管； 所述第一比较器的两个输入端分别检测LDO主体电路中误差放大器的两个输出端，输出端连接HL脉冲产生电路的输入端；所述第二比较器的两个输入端分别反相检测LDO主体电路中误差放大器的输出端，输出端连接LH脉冲产生电路的输入端；所述HL脉冲产生电路的输出端连接重载跳变轻载的充电PMOS管的栅极、HL脉冲延时电路的输入端和充电屏蔽MOS管的漏极；所述LH脉冲产生电路的输出端连接轻载跳变重载的放电PMOS管的栅极、LH脉冲延时电路的输入端和放电屏蔽MOS管的漏极；所述HL脉冲延时电路的输出端连接放电屏蔽MOS管的栅极；所述LH脉冲延时电路的输出端连接充电屏蔽MOS管的栅极；所述充电屏蔽MOS管的源极连接LDO的输入电压；所述放电屏蔽MOS管的源极连接LDO的输入电压；所述重载跳变轻载的充电PMOS管的源极连接LDO的输入电压，其漏极连接轻载跳变重载的放电PMOS管的源极和LDO主体电路中功率管的栅极；轻载跳变重载的放电PMOS管的漏极接地。

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