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龙图腾网获悉武汉华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利显示面板及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118301999B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410371303.8，技术领域涉及：H10K59/80；该发明授权显示面板及显示装置是由齐飞设计研发完成，并于2024-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示面板及显示装置在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种显示面板及显示装置，该显示面板包括发光层及封装层，发光层包括多个像素单元，封装层位于发光层的出光一侧，封装层包括第一无机层及第一有机层，第一有机层位于第一无机层远离发光层的一侧，第一无机层包括第一子层及第二子层，第二子层位于第一子层与第一有机层之间，第一子层的折射率大于第二子层的折射率，第一子层的厚度小于第二子层的厚度，本发明通过在显示面板的封装层中的第一无机层设置第一子层和第二子层，第一子层和第二子层的折射率依次减小且第一子层的厚度小于第二子层的厚度，在提高显示面板的出光率的同时，改善了显示面板的显示效果。

本发明授权显示面板及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示面板，其特征在于，包括： 发光层； 封装层，位于所述发光层的出光一侧，所述封装层包括第一无机层及第一有机层，所述第一有机层位于所述第一无机层远离所述发光层的一侧； 阴极层，位于所述发光层与所述封装层之间； 其中，所述第一无机层包括第一子层及第二子层，所述第二子层位于所述第一子层与所述第一有机层之间，所述第一子层的折射率大于所述第二子层的折射率； 所述第一子层的厚度小于所述第二子层的厚度； 所述第一子层靠近所述阴极层的一侧与所述阴极层接触，所述第一子层的折射率为1.88-1.95；所述第二子层的折射率为1.71-1.80；所述第一子层的折射率与所述第二子层的折射率差值为0.05-0.12； 所述第一子层的厚度小于或等于100纳米；所述第二子层的厚度为600-1000纳米； 所述第一子层的氧元素含量小于1%，所述第二子层的氧元素含量小于1%，所述第一子层的材料选自氮硅化合物SiN，所述第二子层的材料选自氮氧硅化合物SiNO。

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