武汉理工大学樊李红获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉理工大学申请的专利基于二氧化硅的压电半导体复合涂层和制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118185421B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410359660.2，技术领域涉及：C09D163/00；该发明授权基于二氧化硅的压电半导体复合涂层和制备方法及应用是由樊李红;黎明;褚莹莹;刘爽;胡康迪;张永康;徐正平设计研发完成，并于2024-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于二氧化硅的压电半导体复合涂层和制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明涉及基于二氧化硅的压电半导体复合涂层和制备方法及应用，包括质量比为5:1的A组分和B组分，B组分为固化剂；按质量份计，A组分包括树脂45～55份、预处理二氧化硅10～40份、导电剂5～35份、溶剂10～20份、助剂0.1～2份以及树脂改性剂0.1～0.4份。本发明采用改性树脂和预处理二氧化硅作为原料，成本低，且使所得涂层同时具有优异的压电性能和导电性能；各组分按顺序混合，通过简单的均质以及研磨即可得到复合涂层浆料，再通过空气喷涂形成压电半导体复合涂层，方法简单，可产业化，且能够方便地敷设在设备表面，应用范围广。
本发明授权基于二氧化硅的压电半导体复合涂层和制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种基于二氧化硅的压电半导体复合涂层，其特征在于，包括质量比为5:1的A组分和B组分，B组分为固化剂；按质量份计， A组分包括树脂45～55份、预处理二氧化硅10～40份、导电剂5～35份、溶剂10～20份、助剂0.1～2份以及树脂改性剂0.1～0.4份； 所述预处理二氧化硅是将硅烷偶联剂、二氧化硅和水按质量比为2～4：20～40:100混合，在60～80℃加热搅拌7～9h，再进行真空干燥，将所得产物研磨成粉过400目筛制得的； 树脂改性剂包括乙氧基化腰果酚磺基琥珀酸半酯二钠盐、磺基琥珀酸脂肪醇3醚单酯二钠或1-烯丙氧基-3-腰果酚-2-丙醇。
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