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龙图腾网获悉之江实验室;上海大学申请的专利一种碳化硅晶须增韧的陶瓷涂层及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117820029B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410041195.8，技术领域涉及：C04B41/90；该发明授权一种碳化硅晶须增韧的陶瓷涂层及其制备方法和应用是由甄强;陈晨;李榕;胡志杰设计研发完成，并于2024-01-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅晶须增韧的陶瓷涂层及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于陶瓷涂层技术领域，具体涉及一种碳化硅晶须增韧的陶瓷涂层及其制备方法和应用。本发明提供的碳化硅晶须增韧的陶瓷涂层在陶瓷层和基底之间设有SiC晶须穿插的SiC过渡层，SiC晶须可以穿插至基底表面和陶瓷层表面，从而提高陶瓷层与基底之间的结合力，而且过渡层本身分布均匀，能缓解基底与陶瓷层之间热膨胀系数差异产生的影响，使陶瓷层与基底链接紧密，解决传统陶瓷外涂层与基底的结合能力不足且易脱落的问题。本发明所提供的带含碳化硅过渡层含碳化硅晶须的陶瓷外防护层可以在超高温下具有紧密结合力，断裂韧性高，不容易脱落。

本发明授权一种碳化硅晶须增韧的陶瓷涂层及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶须增韧的陶瓷涂层，其特征在于，包括覆在基底表面的碳化硅过渡层和覆在所述碳化硅过渡层表面的陶瓷层； 所述碳化硅过渡层包括分布在所述基底表面的金属、覆盖所述金属的碳化硅基层和以金属为基点形成的碳化硅晶须，部分碳化硅晶须穿插至碳化硅过渡层表面； 所述碳化硅晶须的直径为100nm~500nm； 所述碳化硅过渡层中碳化硅晶须的质量百分含量为0.1~5％； 所述碳化硅过渡层的厚度为50nm~100nm； 所述碳化硅晶须增韧的陶瓷涂层的制备方法包括以下步骤： 将基底在含金属基催化剂的有机溶剂中浸渍，得到覆有金属基催化剂的基底； 将所述覆有金属基催化剂的基底置于含碳和硅的包埋料中，在第一保护气下进行第一烧结，得到表面覆有碳化硅过渡层的基底； 将与陶瓷层的成分对应的原料和含氢硅油混合，所得陶瓷浆料覆在所述碳化硅过渡层表面后，在第二保护气下进行第二烧结，得到碳化硅晶须增韧的陶瓷涂层；以质量份数计，所述与陶瓷层的成分对应的原料包括：HfC粉70~80份、HfB2粉5~15份、SiC粉5~10份和HfSi2粉0~5份； 所述金属基催化剂为金属镍基催化剂；所述金属镍基催化剂为乙酰丙酮镍、硝酸镍、氨基酸镍、镍或氧化镍；所述含金属基催化剂的有机溶剂中金属基催化剂的质量浓度为1~5％； 所述第一烧结的温度为1200~1600℃，保温时间为1~2h。

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