电子科技大学贾利军获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种LTCC高居里温度NiZn铁氧体基板材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117819956B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410048349.6，技术领域涉及：C04B35/30；该发明授权一种LTCC高居里温度NiZn铁氧体基板材料及其制备方法是由贾利军;曾甜甜;陈言川设计研发完成，并于2024-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LTCC高居里温度NiZn铁氧体基板材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于电子信息功能材料及微电子器件领域，涉及微波铁氧体材料，具体提供一种LTCC高居里温度NiZn铁氧体基板材料及其制备方法，用以解决现有低温烧结NiCuZn铁氧体基板材料存在的居里温度较低、微波磁损耗与介电损耗偏高、饱和磁化强度与介电常数偏低等缺陷；本发明以Cu掺杂的高NiZn比NiZn铁氧体作为主料，以Bi2O3‑CuO复合低共熔混合物作为辅料，二者低温共烧形成基板材料，不仅具有较低的烧结温度～900℃，同时还具有优异的微波特性：高的居里温度～302℃、低铁磁共振线宽～100Oe、低介电损耗损耗正切值～8×10‑4以及高饱和磁化强度～4959Guass，既满足了LTCC工艺要求，又具备微波铁氧体器件所需关键基板材料的优良磁性能。
本发明授权一种LTCC高居里温度NiZn铁氧体基板材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LTCC高居里温度NiZn铁氧体基板材料，由主料A与辅料B低温共烧而成，其特征在于： 所述主料A的分子式为：Ni0.55-xCuxZn0.45O1.03Fe0.97，其中，0.0≤x≤0.15； 所述辅料B为Bi-CuO复合低共熔混合物，其中，Bi的含量为42wt％，CuO的含量为58wt％； 所述辅料B占主料A的质量百分比为：0.5wt％。
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