西安近代化学研究所冯昊获国家专利权
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龙图腾网获悉西安近代化学研究所申请的专利基于氧化物成核层的石英基底表面金属膜层的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117646189B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311300616.6，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权基于氧化物成核层的石英基底表面金属膜层的制备方法是由冯昊;龚婷;秦利军;张王乐;李丹;胡逸云;李建国;房佳斌;惠龙飞设计研发完成，并于2023-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于氧化物成核层的石英基底表面金属膜层的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于氧化物成核层的石英基底表面金属膜层的制备方法，该方法采用原子层沉积法，在曲面石英基底表面先沉积一层氧化物作为成核层，再沉积一层第一金属作为增强结合力的金属过渡层，最后沉积一层第二金属作为导电层，形成基于氧化物成核层的石英基底表面金属膜层。本发明制得的金属膜层的底表面结合力强、均匀性好。本发明的成核层的不均匀度小于2％，过渡层的不均匀度小于3％，导电层不均匀度小于5％，导电层电阻小于50Ω。本发明的ALD制备的整个膜层与曲面石英基底之间的抗拉强度大于4MPa。
本发明授权基于氧化物成核层的石英基底表面金属膜层的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于氧化物成核层的石英基底表面金属膜层的制备方法，其特征在于，该方法采用原子层沉积法，在曲面石英基底表面先沉积一层氧化物作为成核层，再沉积一层第一金属作为增强结合力的金属过渡层，最后沉积一层第二金属作为导电层，形成基于氧化物成核层的石英基底表面金属膜层； 所述的曲面石英基底为半球谐振陀螺中的半球谐振子； 所述的成核层的氧化物为Al2O3或TiO2； 所述的过渡层的第一金属为Mo或W； 所述的导电层的第二金属为Pt、Ir或Ru； 所述的成核层的厚度为1～10nm；所述的过渡层的厚度为1～20nm；所述的导电层的厚度为5～30nm； 所述的成核层的不均匀度小于2%； 所述的过渡层的不均匀度小于3%； 所述的导电层的不均匀度小于5%； 所述的导电层的电阻小于50Ω； 所述的基于氧化物成核层的石英基底表面金属膜层与曲面石英基底之间的抗拉强度大于4MPa。
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