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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种直写成型获得陶瓷坯体孔隙结构调控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117447228B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311547471.X，技术领域涉及：C04B38/06；该发明授权一种直写成型获得陶瓷坯体孔隙结构调控方法是由刘荣军;尹宜辉;万帆;王衍飞;李端设计研发完成，并于2023-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种直写成型获得陶瓷坯体孔隙结构调控方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种直写成型获得陶瓷坯体孔隙结构的调控方法，包括：首先以预先配置的陶瓷浆料为原料，通过DIW打印成型获得陶瓷湿坯；然后对陶瓷湿坯依次进行干燥、固化和高温裂解获得多孔陶瓷坯体，坯体密度0.5gcm3至1.4gcm3；再将陶瓷坯体浸没于浸渍液中，在真空条件下进行浸渍，经多次浸渍、交联固化和裂解获得增密后的陶瓷坯体，密度为0.8gcm3至2.0gcm3。本发明实现了对坯体孔隙结构的调控，经处理后坯体束间通孔和束内孔隙得到同步填充，制得的坯体致密化程度更高，相比于未进行增密处理的坯体，经反应熔渗致密化工艺后获得的SiC陶瓷材料残余硅含量大幅降低，力学性能得到提升。

本发明授权一种直写成型获得陶瓷坯体孔隙结构调控方法在权利要求书中公布了：1.一种直写成型获得陶瓷坯体孔隙结构调控方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1以碳化硅粉体、炭黑、酚醛树脂、短切碳纤维、第一溶剂为原材料，制备满足直写成型要求的陶瓷浆料；其中，各原材料的用量百分比为：碳化硅粉体为10-20vol％，炭黑为8-18vol％，酚醛树脂为4-15vol％，短切碳纤维为0-10vol％，第一溶剂为40-65vol％； 步骤2将步骤1制得的陶瓷浆料通过DIW设备打印得到目标三维结构的陶瓷湿坯，再将陶瓷湿坯进行高温处理获得多孔陶瓷坯体；所述多孔陶瓷坯体的密度为0.5gcm3～1.4gcm3；其中，对陶瓷湿坯进行高温处理的具体处理过程为：将陶瓷湿坯置于烘箱中进行干燥和固化，烘箱温度设置为150-220℃，保温时间1-2h；再将干燥、固化后的坯体置于真空炉中，升温至800-1200℃，保温1-2h； 步骤3以有机先驱体、第二溶剂和石墨粉为原料配置浸渍液；其中，有机先驱体为聚碳硅烷，第二溶剂为二甲苯，两者的质量比为3:7至7:3；所述石墨粉的粒径为10-80μm，添加量为有机先驱体和溶剂质量之和的5-30wt％； 步骤4对多孔陶瓷坯体进行增密处理：先将步骤2制得的多孔陶瓷坯体完全淹没于步骤3配置的浸渍液中，再在真空条件下进行浸渍，最后进行固化处理和高温裂解处理；一次浸渍、固化和裂解为一个完整的工艺循环，经过2～5次上述的工艺循环获得增密后的陶瓷坯体；所述增密后的陶瓷坯体密度为0.8gcm3～2.0gcm3；其中，固化和裂解温度分别为120-180℃和1000-1400℃，保温时间均为1-2h； 步骤5采用RMI工艺对步骤4制得的增密后的陶瓷坯体进行致密化处理，得到SiC基陶瓷材料；其中，致密化处理具体为：将增密后的陶瓷坯体置于烧结炉中进行高温烧结，烧结温度为1300-1600℃，保温时间为30-120min。

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