北京亦盛精密半导体有限公司李靖晗获国家专利权
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龙图腾网获悉北京亦盛精密半导体有限公司申请的专利一种碳化硅化学气相沉积炉的进气装置及其使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117385340B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311626556.7，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权一种碳化硅化学气相沉积炉的进气装置及其使用方法是由李靖晗;张慧;包根平;王力设计研发完成，并于2023-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅化学气相沉积炉的进气装置及其使用方法在说明书摘要公布了：本申请涉及碳化硅气相沉积设备的技术领域，具体公开了一种碳化硅化学气相沉积炉的进气装置及其使用方法。该进气装置包括依次设置的MTS储液罐、液体流量控制装置、预热装置、低压气化室、低压匀气罐，所述低压气化室通过真空泵与低压匀气罐连接，所述低压匀气罐通过真空泵与反应腔室连接；MTS自MTS储液罐依次经预热装置、低压气化室、低压匀气罐进入反应腔室。本申请实现反应物气体量实时的灵活可控，配合载气通入量，达到比例任意可调且稳定的目的，可长时间稳定作业，并突破了作业时长受MTS最大存储量的限制。
本发明授权一种碳化硅化学气相沉积炉的进气装置及其使用方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅化学气相沉积炉的进气装置，其特征在于，所述进气装置包括依次设置的MTS储液罐1、液体流量控制装置3、预热装置4、低压气化室6、低压匀气罐11，所述低压气化室6通过真空泵与低压匀气罐11连接，所述低压匀气罐11通过真空泵与反应腔室15连接；MTS自MTS储液罐1依次经预热装置4、低压气化室6、低压匀气罐11进入反应腔室15； 所述低压气化室6内设置有具有补温加热功能的旋转气化盘5；所述旋转气化盘5包括自底部至边缘依次连接的底部滴落平台、倒斜坡中部、倒钩型边缘； 所述低压气化室6内还设置有位于旋转气化盘5下方且交错排布的挡流板7。
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