清华大学李正操获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利具有MAB相结构的Cr2AlB2涂层及其制备方法和包含其的制品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117364038B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311114043.8，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权具有MAB相结构的Cr2AlB2涂层及其制备方法和包含其的制品是由李正操;贾科;王国景设计研发完成，并于2023-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有MAB相结构的Cr2AlB2涂层及其制备方法和包含其的制品在说明书摘要公布了：本申请公开了一种具有MAB相结构的Cr2AlB2涂层及其制备方法和包含其的制品，所述具有MAB相结构的Cr2AlB2涂层的制备方法，包括以下步骤：采用单靶位组合靶材在基片上进行磁控溅射沉积，获得沉积态涂层；对所述沉积态涂层进行热处理，获得具有MAB相结构的晶态Cr2AlB2涂层；其中，所述单靶位组合靶材与所述基片平行相对设置，所述单靶位组合靶材包括沿垂直于所述基片方向叠加设置的CrB靶材层和Al靶材层，所述Al靶材层靠近所述基片设置且所述Al靶材层部分覆盖所述CrB靶材层，所述Al靶材层覆盖所述CrB靶材层的面积占所述CrB靶材层面积的22％～28％。所述Cr2AlB2涂层具有高致密度和高纯度。
本发明授权具有MAB相结构的Cr2AlB2涂层及其制备方法和包含其的制品在权利要求书中公布了：1.一种具有MAB相结构的Cr2AlB2涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 采用单靶位组合靶材在基片上进行磁控溅射沉积，获得沉积态涂层； 对所述沉积态涂层进行热处理，获得具有MAB相结构的晶态CrAlB涂层； 其中，所述单靶位组合靶材与所述基片平行相对设置，所述单靶位组合靶材包括沿垂直于所述基片方向叠加设置的CrB靶材层和Al靶材层，所述Al靶材层靠近所述基片设置且所述Al靶材层部分覆盖所述CrB靶材层，所述Al靶材层覆盖所述CrB靶材层的面积占所述CrB靶材层面积的22%~28%； 所述CrB靶材层为圆柱体，所述Al靶材层为具有厚度的扇形，所述圆柱体的半径和所述扇形的半径相同，所述扇形的圆心角总和为80°~100°； 所述磁控溅射沉积在常温下进行； 所述热处理在惰性气氛下进行，所述热处理的温度为650℃～800℃，所述热处理的时间为2h~9h。
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