松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所李昊臻获国家专利权
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龙图腾网获悉松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所申请的专利半导体材料前驱体、金属靶材及制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117364037B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210773016.0，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权半导体材料前驱体、金属靶材及制备方法和应用是由李昊臻;杜小龙;陈兴谦;李子;王燕;刘尧平设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体材料前驱体、金属靶材及制备方法和应用在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种半导体材料前驱体、金属靶材及制备方法和应用，涉及半导体材料领域。半导体材料前驱体的制备方法包括以下步骤：将金属氧化物粉末与双氧水混合并搅拌研磨，使金属氧化物粉末中的金属离子氧化；金属氧化物粉末的粒径为50～500nm，双氧水的浓度为20wt％～70wt％。双氧水作为氧化剂与金属氧化物混合后搅拌研磨，不仅可以使金属氧化物的颗粒分散均匀，还能保证双氧水可以充分地与金属氧化物接触，能很好地对金属氧化物中的低价态金属离子进行氧化，极大地减少了金属氧化物中的低价态阳离子的现象；另外，双氧水能够很容易地被消除，不会影响半导体材料前驱体的纯度。
本发明授权半导体材料前驱体、金属靶材及制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种半导体材料前驱体的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤： 将金属氧化物粉末与双氧水混合并搅拌研磨，使所述金属氧化物粉末中的金属离子氧化；所述金属氧化物粉末的粒径为50~500nm，所述双氧水的浓度为20wt%~70wt%，搅拌研磨时温度为20~70℃，搅拌研磨时间为5~60min； 所述金属氧化物粉末中的金属元素包括Sn、Ti、Bi、Sb、Ni、Ta、Nb、Mo、W中的至少一种，所述双氧水的质量与所述金属氧化物的质量比为5~50:50~95。
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