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龙图腾网获悉深圳市路维光电股份有限公司申请的专利一种功能型掩膜版及其制备工艺、应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117265494B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311226923.4，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种功能型掩膜版及其制备工艺、应用是由刘玉闯;司继伟;杜武兵设计研发完成，并于2023-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功能型掩膜版及其制备工艺、应用在说明书摘要公布了：本发明涉及掩膜版制造技术领域，具体公开了一种功能型掩膜版及其制备工艺、应用，功能型掩膜版中的缓冲层在涂胶前，直接采用磁控溅射镀在图案层上，然后采用湿刻蚀工艺去除图案层待刻蚀位置所对应的缓冲层。本发明改变传统功能型镀膜制作工艺，将缓冲层在基板涂胶前，直接镀在图案层上，把图案层作为基板的保护层，避免基底在磁控溅射制备缓冲层的过程中所产生的高能粒子轰击到基板上，有效防止了基板受杂质轰击出现损伤，从而避免掩膜版产品报废。

本发明授权一种功能型掩膜版及其制备工艺、应用在权利要求书中公布了：1.一种功能型掩膜版的制备工艺，其特征在于，功能型掩膜版中的缓冲层300在涂胶前，直接采用磁控溅射镀在图案层200上，然后采用湿刻蚀工艺去除图案层200待刻蚀位置所对应的缓冲层300； 缓冲层300是氮化硅层或银层； 当缓冲层300为氮化硅层时，使用镀膜电流在3～5A，时间控制在10～15分钟内，膜层厚度控制在8～15nm内，具体刻蚀工艺为：采用4～10wt%的NH4HF2和6～15wt%的双氧水混合75～90wt%的去离子水的刻蚀溶液刻蚀缓冲层300，刻蚀时间为60～90s； 当缓冲层300为银层时，银层的厚度为5～8nm，镀膜电流2～4A，时间控制在6～8分钟，具体刻蚀工艺为：使用8wt%草酸，28wt%硝酸铁，1.5wt%硝酸铈铵，余量为去离子水的刻蚀溶液刻蚀缓冲层300，蚀刻时间40～60s； 包括以下步骤： S1、在基板100上沉积一层用于刻蚀图案的图案层200； S2、采用磁控溅射在图案层200上镀一层缓冲层300； S3、在缓冲层300上涂布抗蚀剂； S4、在抗蚀剂上进行光刻形成掩膜版所需图案； S5、对光刻完图案的抗蚀剂进行显影； S6、采用湿刻蚀工艺刻蚀缓冲层300； S7、刻蚀图案层200； S8、去除抗蚀剂； S9、在缓冲层300上形成功能层400。

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