华为技术有限公司马超获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利存算一体存储器、逻辑运算方法及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117238340B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210645888.9，技术领域涉及：G11C11/40；该发明授权存算一体存储器、逻辑运算方法及电子设备是由马超;段念;李檀;秦青;焦慧芳设计研发完成，并于2022-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本存算一体存储器、逻辑运算方法及电子设备在说明书摘要公布了：本申请实施例提出了一种存算一体存储器、逻辑运算方法及电子设备，应用于半导体芯片存储运算技术领域。逻辑运算器包括为存储单元的半浮栅晶体管；向半浮栅晶体管的第一输入端输出第一电压信号，向半浮栅晶体管的第二输入端输出第二电压信号，向半浮栅晶体管的第三输入端输出用于指示控制变量的第三电压信号；第三电压信号用于调整半浮栅的电压感应状态；控制变量用于指示半浮栅不同的电压感应状态；第一电压信号和第二电压信号用于在半浮栅不同的电压感应状态下对半浮栅的电压进行调整；调整后的半浮栅的电压用于指示：第一电压信号对应的输入变量与第二电压信号对应的输入变量之间进行逻辑运算的运算结果。
本发明授权存算一体存储器、逻辑运算方法及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种存算一体存储器，其特征在于，包括控制器和存储阵列，所述存储阵列的每个存储单元为半浮栅晶体管；所述半浮栅晶体管包括第一输入端、第二输入端、第三输入端和半浮栅；所述控制器用于： 向所述半浮栅晶体管的第一输入端输出第一电压信号，向所述半浮栅晶体管的第二输入端输出第二电压信号，向所述半浮栅晶体管的第三输入端输出用于指示控制变量的第三电压信号； 所述第三电压信号用于调整所述半浮栅的电压感应状态；所述控制变量用于指示所述半浮栅不同的电压感应状态；所述第一电压信号和所述第二电压信号用于在所述半浮栅不同的电压感应状态下对所述半浮栅的电压进行调整；调整后的所述半浮栅的电压用于指示：所述第一电压信号对应的输入变量与所述第二电压信号对应的输入变量之间进行逻辑运算的运算结果。
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