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福州大学陈孔发获国家专利权

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龙图腾网获悉福州大学申请的专利一种简便制备LaGaO3基电解质薄片的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117229057B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311186926.X,技术领域涉及:C04B35/50;该发明授权一种简便制备LaGaO3基电解质薄片的方法是由陈孔发;林长艮;钱佳琪;艾娜;王欣;邵艳群设计研发完成,并于2023-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。

一种简便制备LaGaO3基电解质薄片的方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种简便制备LaGaO3基电解质薄片的方法,其通过将原料粉末和有机添加剂混合球磨制成浆料,然后通过流延成型得到生坯,再经一步烧结即得到具有纯相结构的致密La1‑xSrxGa1‑yMgyO3电解质薄片。与现有制备La1‑xSrxGa1‑yMgyO3电解质片的工艺相比,本发明无需使用纯相La1‑xSrxGa1‑yMgyO3粉体为原料,而是将其原料粉末直接一步制备纯相的La1‑xSrxGa1‑yMgyO3电解质薄片,这缩短了La1‑xSrxGa1‑yMgyO3电解质薄片的制备流程,为低成本、高性能的La1‑xSrxGa1‑yMgyO3电解质片的开发提供了一种新的思路,具有良好的产业化前景。

本发明授权一种简便制备LaGaO3基电解质薄片的方法在权利要求书中公布了:1.一种简便制备LaGaO3基电解质薄片的方法,其特征在于,包括以下步骤: 1根据La1-xSrxGa1-yMgyO3的化学计量比准备La2O3、SrCO3、Ga2O3、MgO原料粉末,其中x=0-0.3,y=0-0.3; 2将准备好的原料粉末与有机添加剂球磨混匀,得到浆料; 3将所得浆料使用流延法制成La1-xSrxGa1-yMgyO3生坯,经室温干燥后裁剪成需要的尺寸; 4将裁剪好的生坯经排胶、高温烧结,得到具有纯相结构的致密La1-xSrxGa1-yMgyO3电解质薄片; 步骤2所述有机添加剂中各组分及其占所用物料总质量的百分比为溶剂40-60%、分散剂1-3%、增塑剂4-8%、黏结剂3-10%; 其中,所述溶剂由无水乙醇和丁酮按质量比3:2混合而成; 所述分散剂为三乙醇胺; 所述增塑剂由聚乙二醇和邻苯二甲酸二乙酯按质量比1:1混合而成; 所述黏结剂为聚乙烯醇缩丁醛; 步骤2中所述球磨的转速为100-400r·min-1,时间为4-20h; 步骤4中所述高温烧结的温度为1400-1550℃,时间为3-20h。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人福州大学,其通讯地址为:350108 福建省福州市闽侯县福州大学城乌龙江北大道2号福州大学;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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