中国电子科技集团公司第二十九研究所程圣获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第二十九研究所申请的专利一种高硅铝合金的真空冶金连接方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116921895B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310919451.4，技术领域涉及：B23K28/02；该发明授权一种高硅铝合金的真空冶金连接方法是由程圣;杜小东;金涛;陈帅;马晓琳;王天石;谷岩峰;张富官;余克壮;李立;马政伟;曹洪志;曾强;唐勇刚;曾红玲;杨光华设计研发完成，并于2023-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高硅铝合金的真空冶金连接方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高硅铝合金的真空冶金连接方法，涉及扩散焊技术领域，包括如下步骤：S1、通过搅拌摩擦焊的方式对待焊接高硅铝合金工件进行焊前处理，用于提高待焊接高硅铝合金工件的待焊接表面的铝元素含量；S2、将经过步骤S1处理的待焊接高硅铝合金工件在真空条件下进行扩散焊焊接，得到焊接后的高硅铝合金工件。本发明操作简单，在高硅元素含量的硅铝合金扩散焊焊接前，采用一种工艺冶金方法对待焊接表面做焊前处理，提高焊接表面铝元素含量，进而提高扩散焊焊接表面铝元素与铝元素的接触占比，最终实现提高扩散焊焊接接头的强度。即保持了高硅铝合金材料的优点，又提高了扩散焊焊接接头的强度。
本发明授权一种高硅铝合金的真空冶金连接方法在权利要求书中公布了：1.一种高硅铝合金的真空冶金连接方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、通过搅拌摩擦焊的方式对待焊接高硅铝合金工件进行焊前处理，用于提高待焊接高硅铝合金工件的待焊接表面的铝元素含量； S2、将经过步骤S1处理的待焊接高硅铝合金工件在真空条件下进行扩散焊焊接，得到焊接后的高硅铝合金工件。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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