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龙图腾网获悉深圳市京泉华智能电气有限公司申请的专利一种串口转单总线的传输电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116860683B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310968287.6，技术领域涉及：G06F13/40；该发明授权一种串口转单总线的传输电路是由陈立群设计研发完成，并于2023-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种串口转单总线的传输电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种串口转单总线的传输电路，包括直流电压线V+、直流电压线V‑、总线BUS、第一系统和第二系统，所述第一系统和第二系统通过直流电压线V+、直流电压线V‑、总线BUS三线连接，所述第一MCU芯片的Tx1端为低电平时，所述三极管Q5、三极管Q8导通，总线BUS电压拉低，所述第一MCU芯片的Tx1端为高电平时，三极管Q5、三极管Q8截止，总线BUS电压拉高。通过基本对称的第一系统与第二系统，在总线BUS与直流电压线V‑短路，总线拉低BUS，不损坏电路；总线BUS与直流电压线V+短路，总线BUS拉高，不损坏电路，在锂离子电池充电过程中避免出现传输电路损坏的情况，提高充电安全。

本发明授权一种串口转单总线的传输电路在权利要求书中公布了：1.一种串口转单总线的传输电路，其特征在于：包括直流电压线V+、直流电压线V-、总线BUS、第一系统和第二系统，所述第一系统和第二系统通过直流电压线V+、直流电压线V-、总线BUS三线连接，所述第一系统包括第一MCU芯片、三极管Q1、三极管Q3、三极管Q5、三极管Q8，所述第一MCU芯片的Tx1端与三极管Q5的基极电连接，所述三极管Q5的发射极与第一MCU芯片的电压输入端连接，所述三极管Q5的集电极与三极管Q8的基极电连接，所述三极管Q8的发射极接地，所述第一MCU芯片的Tx1端为低电平时，所述三极管Q5、三极管Q8导通，总线BUS电压拉低，所述第一MCU芯片的Tx1端为高电平时，三极管Q5、三极管Q8截止，总线BUS电压拉高；所述第一MCU芯片的Rx1端与三极管Q1的集电极电连接，所述三极管Q5的发射极与第一MCU芯片的电压输入端连接，所述三极管Q5的基极与三极管Q3的集电极电连接，所述三极管Q3的发射极接地； 所述第一系统还设置有电阻R3和二极管D1，所述二极管D1的一端与传输电路VCC端连接，所述二极管D1的另一端与电阻R3连接； 所述第二系统包括第二MCU芯片、三极管Q2、三极管Q4、三极管Q6、三极管Q7，所述第二MCU芯片的Tx2端与三极管Q6的基极电连接，所述三极管Q6的发射极与第二MCU芯片的电压输入端连接，所述三极管Q6的集电极与三极管Q7的基极电连接，所述三极管Q7的发射极接地，所述第二MCU芯片的Tx2端为低电平时，所述三极管Q6、三极管Q7导通，总线BUS电压拉低，所述第二MCU芯片的Tx2端为高电平时，三极管Q6、三极管Q7截止，总线BUS电压拉高；所述第二MCU芯片的Rx2端与三极管Q2的集电极电连接，所述三极管Q2的发射极与第二MCU芯片的电压输入端连接，所述三极管Q2的基极与三极管Q4的集电极电连接，所述三极管Q4的发射极接地。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市京泉华智能电气有限公司，其通讯地址为：518117 广东省深圳市龙岗区坪地街道坪桥路10号京泉华科技产业园；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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