华南理工大学辛学刚获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利磁共振成像单体素内微米尺度的弥散特性表征方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116756541B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310480368.1,技术领域涉及:G06F18/213;该发明授权磁共振成像单体素内微米尺度的弥散特性表征方法是由辛学刚;李晓东设计研发完成,并于2023-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁共振成像单体素内微米尺度的弥散特性表征方法在说明书摘要公布了:一种磁共振成像单体素内微米尺度的弥散特性表征方法,包括:S1、构建多种单个体素内弥散特性分布的概率密度函数;S2、设计专用序列,对目标对象扫描成像,得到构建多种单个体素内弥散特性分布概率密度函数的扫描数据;S3、根据步骤S2的成像序列参数及扫描数据,对应计算步骤S1中的多种单个体素内弥散特性分布的概率密度函数,得到单体素内微米尺度的弥散特性结果。本发明的磁共振成像单体素内微米尺度的弥散特性表征方法,解决了如何采用毫米尺度的磁共振成像单体素来表征单体素内与微米尺度的组织结构关联的复杂弥散特性问题。
本发明授权磁共振成像单体素内微米尺度的弥散特性表征方法在权利要求书中公布了:1.一种磁共振成像单体素内微米尺度的弥散特性表征方法,其特征在于,包括如下步骤: S1、构建多种单个体素内弥散特性分布的概率密度函数; S2、设计专用序列,对目标对象扫描成像,得到构建多种单个体素内弥散特性分布概率密度函数的扫描数据; S3、根据步骤S2的成像序列参数及扫描数据,对应计算步骤S1中的多种单个体素内弥散特性分布的概率密度函数,得到单体素内微米尺度的弥散特性结果; S2中设计专用序列,具体包括: 设计弥散加权成像受激回波采集序列,为构建体素内水分子弥散位移分布的概率密度函数提供扫描数据; 设计系列序列,包括弥散加权成像受激回波采集序列、弥散加权成像振荡梯度自旋回波采集序列、弥散加权成像脉冲梯度自旋回波采集序列,为构建体素内水分子弥散系数分布的概率密度函数提供扫描数据; 设计弥散加权成像双脉冲梯度自旋回波采集序列,为构建体素内水分子弥散各向异性分布的概率密度函数提供扫描数据。
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