美光科技公司E·博兰里那获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利存储器阵列中的并行存取获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116705093B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310193756.1，技术领域涉及：G11C7/10；该发明授权存储器阵列中的并行存取是由E·博兰里那;A·马丁内利;C·V·A·劳伦特;F·贝代斯基设计研发完成，并于2023-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器阵列中的并行存取在说明书摘要公布了：本申请涉及存储器阵列中的并行存取。存储器装置的一组存储器单元可以与导电结构阵列相关联，其中此类结构可以使用被第一驱动器激活的一组晶体管或其它开关组件耦合。所述一组存储器单元可以划分成两个或更多个存储器单元子集，其中每个子集可以与相应第二驱动器相关联，用于驱动存取电流通过所述子集的存储器单元。此类第二驱动器中的两个或更多个可以同时操作，相比于具有单个此类第二驱动器的其它不同实施方案，这可支持在所述存储器装置的不同占据面积上分布电流或分布相关联电路结构。
本发明授权存储器阵列中的并行存取在权利要求书中公布了：1.一种存储器设备，其包括： 多个导柱，其布置成沿着第一方向的第一数量的导柱和沿着第二方向的第二数量的导柱的二维阵列，所述多个导柱中的每个导柱与相应多个存储器单元耦合； 多个激活线，每个激活线能够用于激活沿着所述第二方向的所述多个导柱中具有所述第二数量的导柱的相应一组； 多个第一字线，每个第一字线与所述多个导柱的第一子集中的每个导柱的相应存储器单元耦合，所述第一子集布置成沿着所述第一方向的所述第一数量的导柱和沿着所述第二方向且小于所述第二数量的导柱的第三数量的导柱的二维阵列； 第一字线驱动器，其能够用于偏置所述多个第一字线中的一个； 多个第二字线，每个第二字线与所述多个导柱的第二子集中的每个导柱的相应存储器单元耦合，所述第二子集布置成沿着所述第一方向的所述第一数量的导柱和沿着所述第二方向的所述第三数量的导柱的二维阵列；以及 第二字线驱动器，其能够用于偏置所述多个第二字线中的一个。
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