莱斯能特(苏州)科技有限公司薛维佳获国家专利权
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龙图腾网获悉莱斯能特(苏州)科技有限公司申请的专利压阻式MEMS绝对压力传感器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116692768B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310378463.0，技术领域涉及：B81C3/00；该发明授权压阻式MEMS绝对压力传感器及其制造方法是由薛维佳;王兴阳;王辉设计研发完成，并于2023-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本压阻式MEMS绝对压力传感器及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种压阻式MEMS绝对压力传感器及其制造方法，属于MEMS传感器领域。该方法中，在硅衬底处形成凹槽结构，凹槽结构在后续硅衬底与顶层硅片键合下形成真空腔体，顶层硅片处形成压阻结构，对压阻结构曝光时，通过微孔阵列定位硅衬底上的零层对准标记，这样在不使用双面光刻工艺的情况下，能够通过一次曝光工艺实现顶硅层片的压阻结构与硅衬底的真空腔体的精确对准，避免多次双面光刻工艺后給上下两层图形对准带来偏移误差的问题。
本发明授权压阻式MEMS绝对压力传感器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种压阻式MEMS绝对压力传感器制造方法，其特征在于，所述方法包括： 提供N型硅衬底； 在所述N型硅衬底上方形成零层对准标记； 根据所述零层对准标记形成凹槽结构； 在所述N型硅衬底上方生长氧化层； 提供顶层硅片，所述顶层硅片位于所述氧化层上方； 将所述顶层硅片与所述N型硅衬底进行键合，所述顶层硅片与所述N型硅衬底之间形成具有真空腔体的CSOI结构； 在所述零层对准标记上方的顶层硅片处形成微孔槽阵列，所述微孔槽阵列用于定位所述零层对准标记； 在所述顶层硅片处形成压阻结构； 淀积氧化隔离介质层且在所述氧化隔离介质层处形成接触孔图形； 在所述接触孔图形处形成金属布线； 生长钝化层，且在所述接触孔图形对应位置的钝化层处形成金属焊盘。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人莱斯能特(苏州)科技有限公司，其通讯地址为：215010 江苏省苏州市高新区嘉陵江路198号6号楼1201；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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