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泰科天润半导体科技(北京)有限公司黄波获国家专利权

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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种碳化硅器件同步Boost型能量回馈老化测试方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116540045B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211424495.1,技术领域涉及:G01R31/26;该发明授权一种碳化硅器件同步Boost型能量回馈老化测试方法是由黄波;孙宇晗;李志雨;王俊兴;邵天骢;李志君设计研发完成,并于2022-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

一种碳化硅器件同步Boost型能量回馈老化测试方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种碳化硅器件同步Boost型能量回馈老化测试方法包括:测试平台,将前级同步型Boost桥臂电路及后级同步型Buck桥臂电路进行级联;直流电源通过二极管输入到前级同步型Boost桥臂电路,并与后级同步型Buck桥臂电路的输出端相连;直流电源根据测试工况进行设置,测试平台通过两个功率电感实现能量在测试平台中的循环流动,减少测试过程中电源的功率输出;设置测试平台的工作模态为A1、B、A2、C四种工作模态,设定被测碳化硅器件的测试工况,实现不同测试工况下加速碳化硅器件的老化,得到老化测试结果;将碳化硅器件放置于桥臂结构电路中,从而充分考虑了碳化硅器件连续工作情况下串扰对栅氧可靠性影响,提高了对碳化硅器件老化测试结果的精确程度。

本发明授权一种碳化硅器件同步Boost型能量回馈老化测试方法在权利要求书中公布了:1.一种碳化硅器件同步Boost型能量回馈老化测试方法,其特征在于:包括:测试平台,所述测试平台以同步型级联Boost-Buck为拓扑的桥臂型结构电路,包括前级同步型Boost桥臂电路和后级同步型Buck桥臂电路,将前级同步型Boost桥臂电路以及后级同步型Buck桥臂电路进行级联; 直流电源通过二极管后输入到前级同步型Boost桥臂电路,并于后级同步型Buck桥臂电路的输出端相连;所述直流电源根据测试工况进行设置,测试平台通过前级同步型Boost桥臂电路的功率电感和后级同步型Buck桥臂电路的功率电感实现能量在测试平台中的循环流动; 通过设置该测试平台的工作模态,并设定被测碳化硅器件的开关频率、漏源极电压和漏极电流,实现在不同测试工况下加速碳化硅器件的老化,得到老化测试结果; 所述测试平台的工作模态依次包括A1工作模态、B工作模态、A2工作模态以及C工作模态;所述A1工作模态处于时间t1-t2;所述B工作模态处于时间t3-t4;所述A2工作模态处于时间t4-t5;所述C工作模态处于时间t5-t6; 所述A1工作模态为: 前级同步型Boost桥臂电路的下桥臂碳化硅器件Q1和后级同步型Buck桥臂电路的上桥臂碳化硅器件Q3导通,前级同步型Boost桥臂电路的电流依次流经功率电感L1和下桥臂碳化硅器件Q1,后级同步型Buck桥臂电路的电流依次流经上桥臂碳化硅器件Q3和功率电感L2,电容C1和电容C2均进行放电,功率电感L1和L2均进行充电; 所述B工作模态为: 前级同步型Boost桥臂电路的下桥臂碳化硅器件Q1保持导通状态,而后级同步型Buck桥臂电路的上桥臂碳化硅器件Q3关断,其下桥臂碳化硅器件Q4导通,进行电流的续流,前级同步型Boost桥臂电路中的电流流向不变,而后级同步型Buck桥臂电路中的电流依次流经下桥臂碳化硅器件Q4和功率电感L2,此时电容C2保持当前状态不变,既不充电也不放电,能量由功率电感L2提供,功率电感L2放电,前级同步型Boost桥臂电路的能量由电容C1进行提供,功率电感L1充电; 所述A2工作模态为: 前级同步型Boost桥臂电路的下桥臂碳化硅器件Q1和后级同步型Buck桥臂电路的上桥臂中的上桥臂碳化硅器件Q3导通,前级同步型Boost桥臂电路的电流依次流经功率电感L1和下桥臂碳化硅器件Q1,后级同步型Buck桥臂电路的电流依次流经上桥臂碳化硅器件Q3和功率电感L2,电容C1和电容C2均进行放电,功率电感L1和L2均进行充电; 所述C工作模态为: 前级同步型Boost桥臂电路的状态进入续流状态,其是由前级同步型Boost桥臂电路的上桥臂碳化硅器件Q2进行续流,前级同步型Boost桥臂电路的电流依次流经功率电感L1和上桥臂碳化硅器件Q2,其能量由功率电感L1进行提供,功率电感L1为放电状态;后级同步型Buck桥臂电路的上桥臂碳化硅器件Q3导通,能量由电容C2提供,功率电感L2处于充电状态; 所述测试平台包括直流电源以及二极管BD; 所述前级同步型Boost桥臂电路包括:电容C1、功率电感L1、下桥臂碳化硅器件Q1、第一驱动单元、上桥臂碳化硅器件Q2以及第二驱动单元; 所述后级同步型Buck桥臂电路包括:电容C2、功率电感L2、上桥臂碳化硅器件Q3、第三驱动单元、下桥臂碳化硅器件Q4以及第四驱动单元; 所述直流电源正极通过二极管BD分别连接所述电容C1的一端部、功率电感L1的一端部以及功率电感L2的一端部;所述直流电源负极分别连接所述电容C1的另一端部、下桥臂碳化硅器件Q1的源极、电容C2的一端部以及下桥臂碳化硅器件Q4的源极;所述功率电感L1的另一端部连接至所述上桥臂碳化硅器件Q2的源极以及下桥臂碳化硅器件Q1的漏极,所述上桥臂碳化硅器件Q2的漏极分别连接所述电容C2的另一端部以及上桥臂碳化硅器件Q3的漏极,所述功率电感L2的另一端部分别连接所述上桥臂碳化硅器件Q3的源极以及下桥臂碳化硅器件Q4的漏极;所述第一驱动单元用于驱动下桥臂碳化硅器件Q1,所述第二驱动单元用于驱动上桥臂碳化硅器件Q2,所述第三驱动单元用于驱动上桥臂碳化硅器件Q3,所述第四驱动单元用于驱动下桥臂碳化硅器件Q4。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人泰科天润半导体科技(北京)有限公司,其通讯地址为:100000 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园B区1号楼106A、113A、115A、117A、119A、121A;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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