中国科学院化学研究所李凯旋获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院化学研究所申请的专利一种耐溶剂、抗氧化、抗腐蚀微流控芯片及其简易制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116351485B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211635003.3，技术领域涉及：B01L3/00；该发明授权一种耐溶剂、抗氧化、抗腐蚀微流控芯片及其简易制备方法和应用是由李凯旋;李会增;李安;邓枭;宋延林设计研发完成，并于2022-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种耐溶剂、抗氧化、抗腐蚀微流控芯片及其简易制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及材料领域，公开了一种耐溶剂、抗氧化、抗腐蚀微流控芯片及其简易制备方法及应用，所述芯片包括亲水性基底和位于亲水性基底表面的疏水性图案，所述疏水性图案由疏水前驱体的交联固化产物构成。相比于由传统亲疏水图案化表面制得的微流控芯片，本发明能够对液体进行更为有效的限域，且可以耐受绝大部分有机和无机溶剂，芯片长时间浸泡在溶剂中，既不会溶解也不会发生任何溶胀行为，因此可以极大地拓宽微流控芯片在液滴微阵列以及极端环境等方面的应用，而且本发明的加工过程比较简单，制备效率较高，十分便于耐溶剂微流控芯片的大面积制备以及工业化生产。
本发明授权一种耐溶剂、抗氧化、抗腐蚀微流控芯片及其简易制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种微流控芯片的制备方法，所述芯片包括亲水性基底和位于亲水性基底表面的疏水性图案，其特征在于，所述疏水性图案由疏水前驱体的交联固化产物构成； 所述方法包括如下步骤： 1利用光刻或者打印，在亲水性基底上构造出可溶解在有机溶剂中的凸起微结构图案，得到图案化基底； 2将疏水有机硅前驱体涂覆在图案化基底表面，得到均匀涂覆疏水有机硅前驱体的基材； 3使用紫外曝光系统对涂覆疏水有机硅前驱体的基底进行紫外光辐照，使疏水有机硅前驱体进行陶瓷转化； 4将完成陶瓷转化的基底浸泡在可溶解凸起微结构图案的溶剂中，进行超声处理，待初始图案化基底上凸起微结构和上侧的疏水陶瓷完全溶解在可溶解凸起微结构图案的溶剂中或者从基底脱离时，将基底取出，然后用水对基底清洗，即可得到所述微流控芯片。
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