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龙图腾网获悉江苏大学申请的专利基于Co(Ⅱ)/g-C3N4纳米管的光电化学适配体传感器的制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116337974B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310057153.9，技术领域涉及：G01N27/36；该发明授权基于Co(Ⅱ)/g-C3N4纳米管的光电化学适配体传感器的制备方法及应用是由严鹏程;张瑜;莫曌;徐丽;李赫楠设计研发完成，并于2023-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于Co(Ⅱ)/g-C3N4纳米管的光电化学适配体传感器的制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明属于光电化学以及分析检测技术领域，公开了一种基于CoⅡg‑C3N4纳米管的光电化学适配体传感器的制备方法及应用。本发明借助纳米管形貌优势和过渡金属离子CoII在纳米管上的掺杂优势，同时提升光利用率和光生载流子的分离与传递效率，制备具备优异光电性能的CoⅡg‑C3N4光电活性材料；借助适配体与g‑C3N4纳米管之间的π‑π作用，成功将适配体锚定在CoⅡg‑C3N4纳米管电极表面，从而特异性识别阿特拉津，提高传感器的选择性。基于此，构建基于CoⅡg‑C3N4纳米管的光电化学适配体传感器实现对阿特拉津的高灵敏度和高选择性检测，拓宽了氮化碳基材料在光电化学以及分析检测技术领域的应用。

本发明授权基于Co(Ⅱ)/g-C3N4纳米管的光电化学适配体传感器的制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.基于CoⅡg-C3N4纳米管的光电化学适配体传感器的制备方法，其特征在于，步骤如下： 1CoⅡg-C3N4纳米管光电活性材料的制备： 首先，将钴盐、碳氮源与羟胺酸盐分别加入到离子水中，搅拌均匀，形成溶液；将上述三种反应溶液混合均匀，并转移至含聚四氟乙烯内衬的反应釜中，进行恒温水热反应，反应结束后，取出反应釜并自然冷却至室温；将产物进行离心，洗涤，干燥，得到前驱体；称取一定量的前驱体在马弗炉中经过高温煅烧，得到CoⅡg-C3N4纳米管光电活性材料； 所述钴盐为六水合硝酸钴或氯化钴，碳氮源为单氰胺、双氰胺、三聚氰胺或尿素，羟胺酸盐为盐酸羟胺或硫酸羟胺；所述钴盐、碳氮源、羟胺酸盐的用量比例分别为0.01~0.1mmol：0.5~2g：1~4g； 2CoⅡg-C3N4ITO电极的制备： 将步骤1制备的CoⅡg-C3N4纳米管光电活性材料通过超声稳定分散于分散剂中，得到稳定的分散液；然后将所得分散液滴涂于ITO电极表面上，自然干燥，即得到CoⅡg-C3N4ITO电极； 3CoⅡg-C3N4aptamerITO光电化学适配体传感器的制备： 取一定量能特异性识别阿特拉津的适配体滴涂于步骤2制备的CoⅡg-C3N4ITO电极表面，室温孵育一定时间后，用去离子水冲洗电极表面未锚定的适配体并室温晾干，即得到CoⅡg-C3N4aptamerITO光电化学适配体传感器。

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