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龙图腾网获悉天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利ESD保护器件、制作方法及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314179B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310182258.7，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权ESD保护器件、制作方法及芯片是由刘浩文设计研发完成，并于2023-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本ESD保护器件、制作方法及芯片在说明书摘要公布了：本申请公开了一种ESD保护器件、制作方法及芯片，涉及半导体器件技术领域。ESD保护器件包括半导体衬底；分别形成于半导体衬底上的N型阱区和P型阱区；分别形成于N型阱区上的第一N型重掺杂区和第一P型重掺杂区；分别形成于P型阱区上的第二N型重掺杂区和第二P型重掺杂区。第二N型重掺杂区与第一P型重掺杂区相对设置，第二P型重掺杂区与第一N型重掺杂区相对设置。本申请实施例提供的ESD保护器件，不仅可以节省占用芯片的面积，而且可以在ESD保护器件中形成多组并联的寄生的NPN三极管和PNP三极管，从而使得寄生的NPN三极管和PNP三极管的开启电压更小、开启更加均匀，以提高ESD保护器件的稳定性。

本发明授权ESD保护器件、制作方法及芯片在权利要求书中公布了：1.ESD保护器件，其特征在于，包括： 半导体衬底； N型阱区、P型阱区，分别形成于所述半导体衬底上，且所述N型阱区与所述P型阱区相互接触； 第一N型重掺杂区、第一P型重掺杂区，分别形成于所述N型阱区上；所述第一N型重掺杂区、所述第一P型重掺杂区作为所述ESD保护器件的阳极掺杂区； 第二N型重掺杂区、第二P型重掺杂区，分别形成于所述P型阱区上；其中，所述第二N型重掺杂区与所述第一P型重掺杂区相对设置，所述第二P型重掺杂区与所述第一N型重掺杂区相对设置；所述第二N型重掺杂区与所述第二P型重掺杂区作为所述ESD保护器件的阴极掺杂区； 第一介质隔离层，形成于所述第一N型重掺杂区、第一P型重掺杂区上； 第二介质隔离层，形成于所述第二N型重掺杂区、第二P型重掺杂区上； 阳极金属层，形成于所述第一N型重掺杂区、第一P型重掺杂区以及所述第一介质隔离层上； 阴极金属层，形成于所述第二N型重掺杂区、第二P型重掺杂区以及所述第二介质隔离层上。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天狼芯半导体(成都)有限公司，其通讯地址为：610000 四川省成都市高新区吉泰路5路88号香年广场T3栋4201室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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