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中国电子科技集团公司第十一研究所刘磊获国家专利权

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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十一研究所申请的专利陶瓷光纤激光增益介质片及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116207592B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310120587.9,技术领域涉及:H01S3/067;该发明授权陶瓷光纤激光增益介质片及其制备方法是由刘磊;王超;王文涛;吕坤鹏;陈露;李宁设计研发完成,并于2023-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。

陶瓷光纤激光增益介质片及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明提出了一种陶瓷光纤激光增益介质片及其制备方法,陶瓷光纤激光增益介质片包括:掺杂增益区、基质区和基板,掺杂增益区包括陶瓷基质和掺杂于基质中的激活离子,掺杂增益区呈弯曲细丝状;基质区采用陶瓷材质,包覆于掺杂增益区的径向外侧;掺杂增益区和基质区均设于基板;陶瓷光纤激光增益介质片具有泵浦光注入端、激光注入端和激光输出端,泵浦光和种子光分别经泵浦光注入端和激光注入端注入掺杂增益区,种子光经掺杂增益区放大后,从激光输出端输出。本发明的陶瓷光纤激光增益介质片,非线性阈值、损伤阈值和热导率都大幅提高,大幅提高了光纤激光器的输出功率,各器件集成在一个热沉板上,不需要复杂的整形光学元件,大幅压缩激光器体积。

本发明授权陶瓷光纤激光增益介质片及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种陶瓷光纤激光增益介质片的制备方法,其特征在于,所述制备方法用于制备陶瓷光纤激光增益介质片; 所述陶瓷光纤激光增益介质片包括:掺杂增益区,包括陶瓷基质和掺杂于所述基质中的激活离子,所述掺杂增益区呈弯曲细丝状;基质区,采用陶瓷材质,包覆于所述掺杂增益区的径向外侧;所述基质区的基质材料被切割出预设角度,使得泵浦光进入基质区后满足全反射条件;基板,所述掺杂增益区和所述基质区均设于所述基板;所述陶瓷光纤激光增益介质片通过辅料调配使所述基质区和所述掺杂增益区的收缩系数相同;所述陶瓷光纤激光增益介质片具有泵浦光注入端、激光注入端和激光输出端,泵浦光和种子光分别经所述泵浦光注入端和所述激光注入端注入所述掺杂增益区,所述种子光经所述掺杂增益区放大后,从所述激光输出端输出; 所述制备方法包括: S100,以YAG或LuAG材料为陶瓷基质,形成百微米级细丝,按照设计图样铺放在基板上,形成满足光纤激光波导传输的集成光纤陶瓷素坯板; S200,对所述集成光纤陶瓷素坯板进行陶瓷烧制,形成陶瓷光纤激光片; S300,将陶瓷光纤激光片减薄至预设厚度; S400,按照预设图样切出冷却通道; S500,对所述陶瓷光纤激光片进行镀膜。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司第十一研究所,其通讯地址为:100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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