台湾积体电路制造股份有限公司郑光伟获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利制造半导体装置的方法及应用于其的制造腔室与导流板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116200725B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210426613.6，技术领域涉及：C23C16/44；该发明授权制造半导体装置的方法及应用于其的制造腔室与导流板是由郑光伟;黄宋儒;刘勇村;李志聪;倪其聪设计研发完成，并于2022-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体装置的方法及应用于其的制造腔室与导流板在说明书摘要公布了：本发明提供一种制造半导体装置的方法包括：将一个或多个半导体晶圆装载到工艺腔室内提供的多个站中；将工艺应用于半导体晶圆其中沉积应用于材料上的一个或多个半导体晶圆内的工艺腔室；和清洗工艺腔室。适宜地，清洗和工艺腔室包括将清洗气体流向工艺腔室，流向布置在工艺腔室中的导流板，导流板具有第一表面，流动的清洗气体撞击在第一表面上，第一表面引导流动清洗气体的第一部分以第一轨迹撞击其上朝向工艺腔室的第一端并且引导流动清洗气体的第二部分以第二轨迹撞击其上朝向工艺腔室的第二端，第二端与第一端相对。
本发明授权制造半导体装置的方法及应用于其的制造腔室与导流板在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括： 将一个或多个半导体晶圆装载到工艺腔室内提供的多个站中； 应用工艺到所述半导体晶圆，其中沉积材料在所述工艺腔室内的所述一个或多个半导体晶圆上；以及 清洗所述工艺腔室， 其中所述清洗包括： 将清洗气体流向所述工艺腔室朝向设置在所述工艺腔室中的导流板，所述导流板具有第一表面，其中流过的所述清洗气体撞击其上，所述第一表面引导所述清洗气体的第一部分在第一轨迹上朝向所述工艺腔室的第一端，并且所述清洗气体的第二部分在第二轨迹上朝向所述工艺腔室的第二端，所述第二端与所述第一端相对；以及 所述导流板形成所述工艺腔室的主轴的指标板材， 所述第一表面具有多个抛物线凹坑，其作用是引导撞击其上的流动所述清洗气体的所述第一部分在所述第一轨迹中朝向所述工艺腔室的所述第一端，以及多个抛物线脊，其作用是引导撞击其上的流动所述清洗气体的所述第二部分在所述第二轨迹中朝向所述工艺腔室的所述第二端，所述第一端为所述工艺腔室的顶端，所述第二端为所述工艺腔室的底端。
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