四川斯艾普电子科技有限公司王韧获国家专利权
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龙图腾网获悉四川斯艾普电子科技有限公司申请的专利一种厚膜薄膜混合电路及其实现方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116193708B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211383397.8，技术领域涉及：H05K1/03；该发明授权一种厚膜薄膜混合电路及其实现方法是由王韧;孙一鸣设计研发完成，并于2022-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种厚膜薄膜混合电路及其实现方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种厚膜薄膜混合电路及其实现方法，混合电路包括：叠设的四层陶瓷基板，顶层的陶瓷基板为薄膜ALN陶瓷基板，其顶面通过薄膜工艺镀有薄膜电路层，薄膜电路层表面镀有良导体镀层，中间两层陶瓷基板为空白ALN陶瓷基板，用于作为牺牲层，表面经过减薄、打磨及抛光进行平整，底层的陶瓷基板顶面印刷有厚膜电路层；金属地层，设于底层的陶瓷基板底面；其中，薄膜电路层通过埋设于各陶瓷基板中的金属化孔，与厚膜电路层和金属地层实现电气导通。改变多层布局结构，牺牲层进行平整处理，并通过金属化过孔实现厚膜电路和薄膜电路的电气连接，达到厚膜和薄膜混合集成的目的，并改善烧制中可能出现的变形问题。
本发明授权一种厚膜薄膜混合电路及其实现方法在权利要求书中公布了：1.一种厚膜薄膜混合电路，其特征在于，包括： 叠设的四层陶瓷基板1，顶层的陶瓷基板1为薄膜ALN陶瓷基板，其顶面通过薄膜工艺镀有薄膜电路层11，薄膜电路层11表面镀有良导体镀层2，中间两层陶瓷基板1为空白ALN陶瓷基板，用于作为牺牲层，表面均经过减薄、打磨及抛光进行平整，底层的陶瓷基板1顶面印刷有厚膜电路层12； 金属地层3，设于底层的陶瓷基板1底面； 其中，薄膜电路层11通过埋设于各陶瓷基板1中的金属化孔4，与厚膜电路层12和金属地层3实现电气导通； 薄膜电路层11和厚膜电路层12均为金属钨层，金属钨层上通过光刻工艺形成有微带线电路或金属导带电路； 薄膜电路层11的另一部分区域上还通过光刻方式形成有精细电路5。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人四川斯艾普电子科技有限公司，其通讯地址为：610051 四川省成都市成华区二环路东二段508号1栋4单元27楼1-16号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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