武汉大学孙宇辉获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利一种基于染色质三维结构高产生物合成基因或基因簇产物的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116153406B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310149184.7，技术领域涉及：G16B25/10；该发明授权一种基于染色质三维结构高产生物合成基因或基因簇产物的方法是由孙宇辉;邓梁;邓子新设计研发完成，并于2023-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于染色质三维结构高产生物合成基因或基因簇产物的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于染色质三维结构高产生物合成基因或基因簇产物的方法，属于基因工程领域。本发明的方法通过将目标基因或基因簇定向整合到基因组上高频互作的强相关染色质区域，可实现对目标基因或基因簇产物的提升。该方法具有实施简便、重复性好、效果显著等特点，可广泛应用于提高目标基因或基因簇产物产量。
本发明授权一种基于染色质三维结构高产生物合成基因或基因簇产物的方法在权利要求书中公布了：1.基于染色质三维结构高产生物合成基因或基因簇产物的方法，其特征在于，包括如下步骤： 1通过数据库或深度测序获得全基因组序列信息； 2通过高通量染色质构象捕获技术获得全基因组的染色质互作频数信息； 3通过转录组测序获得全基因组转录量信息； 4根据步骤2中获得的染色质互作频数信息，计算最小分辨率的染色质区域与上下游染色质区的互作强度； 互作强度的计算方法包括如下步骤： 1使用HiCnv软件中的F_GC_MAP.file.sh计算基因组有效片段长度、GC含量和可映射性，即F_GC_MAP； 2计算每个最小分辨率的染色质区域和上下游区间内局部染色质互作频数的加和； 3基于泊松回归的标准化算法，使用2得到的局部染色质互作频数的加和与1得到的F_GC_MAP进行HiCNormCis计算，得到每个最小分辨率的染色质区域与上下游染色质区的互作强度； 5根据步骤3和4中获得的信息，计算包含若干个连续的最小分辨率染色质区域互作强度与相应转录水平的皮尔逊相关性； 6将目标基因或基因簇整合到基因组上染色质区互作强度与相应转录水平具有强相关性且高互作强度的染色质区域，实现对目标基因或基因簇产物产量的提升。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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