长鑫存储技术有限公司许杰获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构的制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116096085B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310123086.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体结构的制备方法及半导体结构是由许杰;吴小鹏;邵飞;张小强;董辉;王恩波设计研发完成，并于2023-02-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法和半导体结构，其中，所述制备方法包括：提供衬底，衬底至少包括阵列区和外围区，且阵列区和外围区上均设置有有源区；在衬底上形成第一介质层；执行第一刻蚀工艺，去除部分第一介质层和部分衬底，以形成位于阵列区且暴露出部分有源区的多个第一凹槽以及位于外围区且暴露出部分有源区的至少一个第二凹槽；形成第一半导体层，第一半导体层覆盖部分第一凹槽；形成位于第一半导体层上的第二介质层，第二介质层填充第一凹槽且至少覆盖阵列区的表面；执行平坦化工艺，去除第二介质层及部分第一介质层和第一半导体层，以使保留下来的第一半导体层的表面与第一介质层的表面齐平。
本发明授权一种半导体结构的制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供衬底，所述衬底至少包括阵列区和外围区，且所述阵列区和外围区上均设置有有源区；在所述衬底上形成第一介质层； 执行第一刻蚀工艺，去除部分所述第一介质层和部分所述衬底，以形成位于阵列区且暴露出部分有源区的多个第一凹槽以及位于外围区且暴露出部分有源区的至少一个第二凹槽； 形成第一半导体层，所述第一半导体层覆盖部分所述第一凹槽； 形成位于第一半导体层上的第二介质层，所述第二介质层填充所述第一凹槽且至少覆盖所述阵列区的表面； 执行平坦化工艺，去除所述第二介质层及部分所述第一介质层和所述第一半导体层，以使保留下来的所述第一半导体层的表面与所述第一介质层的表面齐平。
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