安建科技有限公司梁嘉进获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉安建科技有限公司申请的专利屏蔽栅沟槽型场效应管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116093162B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310189400.0，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权屏蔽栅沟槽型场效应管及其制造方法是由梁嘉进;伍震威;单建安设计研发完成，并于2023-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本屏蔽栅沟槽型场效应管及其制造方法在说明书摘要公布了：屏蔽栅沟槽型场效应管及其制造方法，本发明涉及于功率半导体器件，为改善现有屏蔽栅沟槽型场效应管器件的可靠性，UIS性能，反向导通性能，并减少硅面积的浪费。本发明提供一种屏蔽栅沟槽型场效应管，所述的场效应管利用集成的高电阻场板沟槽，改善器件开关过程中元胞不均匀开通导致的击穿问题，所述的高电阻场板沟槽还可以作为缓冲器，改善器件开关和反向恢复时的过冲电流。
本发明授权屏蔽栅沟槽型场效应管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅沟槽型场效应管，所述的场效应管包括有位于底部的漏极金属层，位于漏极金属层之上的第一导电类型重掺杂衬底层，位于第一导电类型重掺杂衬底层之上的第一导电类型外延层，位于第一导电类型外延层上方的第二导电类型掺杂体区和第一导电类型重掺杂源区；位于器件上表面的源极金属，其特征在于，在第一导电类型外延层上还设有一系列的元胞沟槽和高电阻场板沟槽，所述的元胞沟槽包含有栅电极和屏蔽栅电极，所述的屏蔽栅电极与位于器件上表面的源极金属相连；所述的高电阻场板沟槽内设有高电阻场板，所述的高电阻场板上方连接到位于器件上表面的源极金属，下方连接到沟槽底部的半导体中；高电阻场板沟槽宽度为元胞沟槽202宽度的20-50%；所述的元胞沟槽和高电阻场板沟槽的左右两侧还分别设有绝缘介质层和用于隔离绝缘介质层和沟槽侧壁的薄氧化层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人安建科技有限公司，其通讯地址为：中国香港沙田科学园科技大道西16号16W大楼9楼912-913室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励