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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利基础芯片、存储系统以及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116069546B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111272430.5，技术领域涉及：G06F11/10；该发明授权基础芯片、存储系统以及半导体结构是由寗树梁设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本基础芯片、存储系统以及半导体结构在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种基础芯片、存储系统以及半导体结构，基础芯片被配置为，在写入阶段接收第一数据以及第一编码数据并进行第一检错纠错处理，第一编码数据为对第一数据进行第一错误校正码编码处理获得的，并对第一检错纠错处理后的第一数据进行第二错误校正码编码处理，在写入阶段基于选择信号选择向存储芯片传输待写入数据，待写入数据为初始数据或者第二数据中的一者，第二数据包括第二编码数据以及第一检错纠错处理后的第一数据，初始数据包括第一数据以及第一编码数据；且在读取阶段基于选择信号选择传输初始数据或者第三数据，第三数据包括第三编码数据以及进行第二检错纠错处理后的第一数据。本申请实施例能够改善存储系统的读写性能。

本发明授权基础芯片、存储系统以及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种基础芯片，应用于存储系统，其特征在于，包括： 所述基础芯片被配置为，在写入阶段接收第一数据以及第一编码数据并进行第一检错纠错处理，所述第一编码数据为对所述第一数据进行第一错误校正码编码处理获得的，并对所述第一检错纠错处理后的所述第一数据进行第二错误校正码编码处理以生成第二编码数据，在所述写入阶段基于选择信号选择向存储芯片传输待写入数据，所述待写入数据为初始数据或者第二数据中的一者，所述第二数据包括所述第二编码数据以及所述第一检错纠错处理后的所述第一数据，所述初始数据包括所述第一数据以及所述第一编码数据； 所述基础芯片还被配置为，若所述待写入数据为所述第二数据，则在读取阶段接收来自所述存储芯片的所述第二数据并进行第二检错纠错处理，并对所述第二检错纠错处理后的所述第一数据进行第三错误校正码编码处理以生成第三编码数据，并在所述读取阶段基于所述选择信号选择传输读取数据，所述读取数据为第三数据或者来自所述存储芯片的所述初始数据中的一者，所述第三数据包括所述第三编码数据以及进行所述第二检错纠错处理后的所述第一数据; 所述基础芯片包括： 第一检错纠错模块，所述第一检错纠错模块被配置为，在所述写入阶段接收所述第一数据以及所述第一编码数据并进行所述第一检错纠错处理； 第二编码模块，所述第二编码模块被配置为，在所述写入阶段接收进行所述第一检错纠错处理后的所述第一数据并进行所述第二错误校正码编码处理，以生成所述第二编码数据； 第二检错纠错模块，所述第二检错纠错模块被配置为，在所述读取阶段接收所述第二数据并进行所述第二检错纠错处理； 第三编码模块，所述第三编码模块被配置为，在所述读取阶段接收所述第二检错纠错处理后的所述第一数据并进行所述第三错误校正码编码处理，以生成所述第三编码数据； 第一选择模块，所述第一选择模块被配置为，基于所述选择信号选择向所述存储芯片传输所述初始数据或者所述第二数据中的一者； 第二选择模块，所述第二选择模块被配置为，基于所述选择信号输出读取数据，所述读取数据为所述第三数据或者来自所述存储芯片中的所述初始数据中的一者; 所述基础芯片还包括： 第一串并转换模块，所述第一串并转换模块被配置为，在写入阶段接收所述第一数据以及所述第一编码数据，并对所述第一数据以及所述第一编码数据进行第一串并转换处理，并将所述第一串并转换处理后的所述第一数据以及所述第一编码数据传输至所述第一检错纠错模块以及所述第一选择模块； 第一并串转换模块，所述第一并串转换模块被配置为，在读取阶段接收来自所述第二选择模块的所述读取数据，并对所述读取数据进行第一并串转换处理，并将所述第一并串转换处理后的所述读取数据传输至控制器。

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