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龙图腾网获悉安建科技有限公司申请的专利一种高电阻场板屏蔽栅沟槽型场效应管器件及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116053325B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310190056.7，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种高电阻场板屏蔽栅沟槽型场效应管器件及制造方法是由伍震威;梁嘉进;单建安设计研发完成，并于2023-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高电阻场板屏蔽栅沟槽型场效应管器件及制造方法在说明书摘要公布了：一种高电阻场板屏蔽栅沟槽型场效应管器件及制造方法，本发明属于功率半导体器件，包括：位于底部的漏极金属层；位于漏极金属层之上的N+衬底层；位于N+衬底层之上的N型外延层；位于器件上表面的P掺杂体区和N+掺杂源区；N+掺杂源区与位于器件上表面的源极金属相连；所述N型外延层上设置有沟槽，所述沟槽内填充有屏蔽栅电极和位于屏蔽栅电极左右两侧或其中一侧的栅电极，屏蔽栅电极与位于器件顶部的上表面金属相连，所述屏蔽栅电极下方设置有高电阻场板，所述高电阻场板下方延伸至N+衬底层中，所述高电阻场板和沟槽的侧壁间具有薄氧化层隔离。有益效果在于，利用高电阻场板，降低沟槽深处的电场强度，实现均匀的电场强度分布，增加击穿电压。

本发明授权一种高电阻场板屏蔽栅沟槽型场效应管器件及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种高电阻场板屏蔽栅沟槽型场效应管器件，其特征在于，包括：位于底部的漏极金属层213；位于漏极金属层213之上的N+衬底层201；位于N+衬底层之上的N型外延层202；位于器件上表面的P掺杂体区和N+掺杂源区；N+掺杂源区与位于器件上表面的源极金属210相连； 所述N型外延层202上设置有沟槽200，所述沟槽200内填充有屏蔽栅电极205和位于屏蔽栅电极205左右两侧或其中一侧的栅电极206，屏蔽栅电极205与位于器件顶部的上表面金属211相连，所述屏蔽栅电极205下方设置有高电阻场板220，所述高电阻场板220下方延伸至N+衬底层201中，所述高电阻场板220和沟槽200的侧壁间具有薄氧化层221隔离； 所述高电阻场板220为覆盖于薄氧化层221上的薄导电层，薄导电层形成的沟槽200中填充有填充材料230，所述的填充材料为绝缘物料，或所述的填充材料为电阻率比薄导电层电阻率更高的导电材料。

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