合肥工业大学;中国科学院合肥物质科学研究院刘冬梅获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥工业大学;中国科学院合肥物质科学研究院申请的专利一种基于脉冲激光的可控单光子系统及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115986565B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310027345.5,技术领域涉及:H01S5/34;该发明授权一种基于脉冲激光的可控单光子系统及其制备方法是由刘冬梅;陈乐乐;李超;顾婷婷;臧庆;任梦芳设计研发完成,并于2023-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于脉冲激光的可控单光子系统及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于脉冲激光的可控单光子系统及其制备方法,该系统包括:脉冲激光部分和单光子产生部分,其中,脉冲激光部分包括用于发出命令控制下位机FPGA发出时序触发TTL脉冲信号的PC端上位机、用于接收并执行上位机控制命令的FPGA电路板、用于驱动激光二极管发光的电流驱动器、用于发出泵浦光的激光二极管;单光子产生部分包括用于滤除准直泵浦激光的准直模块、用于产生单光子信号的单光子产生模块、用于滤除杂波信号并准直单光子的滤波准直模块。本发明基于可调脉冲激光激发半导体量子点产生数目可控的单光子,从而能实现个数可控的单光子源制备,为光学器件绝对定标提供参考与技术手段。
本发明授权一种基于脉冲激光的可控单光子系统及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种基于脉冲激光的可控单光子系统,其特征包括:脉冲激光部分、单光子产生部分; 所述脉冲激光部分包括:PC端上位机1、FPGA电路板2、电流驱动器3、激光二极管4; 所述单光子产生部分包括:窄线滤光片5、第一光纤准直器6a、波分复用器7、低温液氮罐8、InAsGaAs自组织半导体量子点样品9、长通滤光片10、窄带滤光片11、第二光纤准直器6b; 其中,由所述窄线滤光片5、第一光纤准直器6a组成泵浦光滤光准直模块;由所述波分复用器7、低温液氮罐8、InAsGaAs自组织半导体量子点样品9组成单光子产生模块,由所述长通滤光片10、窄带滤光片11、第二光纤准直器6b组成单光子滤光准直模块; 所述PC端上位机1通过串口通信发送命令给FPGA电路板2,使得所述FPGA电路板2产生频率为ω1、数目为n1的电脉冲信号并作为电流驱动器3的外部触发源; 所述电流驱动器3在触发源的作用下发出频率为ω2、数目为n2的电流驱动脉冲信号给激光二极管4,使得所述激光二极管4在电流驱动脉冲信号下发出频率为ω3、数目为n3的脉冲激光,其中,ω1=ω2=ω3、n1=n2=n3; 所述泵浦光滤光准直模块对激光二极管4产生的脉冲激光进行滤光准直,并耦合进单模光纤,经所述单模光纤的聚焦后,再进入所述单光子产生模块中波分复用器7的输入端; 所述波分复用器7利用经滤光准直的脉冲激光来激发处于低温液氮罐8中的InAsGaAs自组织半导体量子点样品9并产生单光子信号输出; 所述单光子信号经过单光子滤光准直模块滤除非单光子信号后,得到纯净的单量子荧光信号。
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