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龙图腾网获悉立锜科技股份有限公司申请的专利功率元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115939206B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110953729.0，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权功率元件及其制造方法是由罗国轩;黄建豪;陈巨峰;翁武得设计研发完成，并于2021-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率元件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种功率元件及其制造方法。功率元件包含：半导体层、阱区、本体区、栅极、源极与漏极、第一对准金属硅化物阻挡层以及第二对准金属硅化物阻挡层。其中，第一对准金属硅化物阻挡层形成于半导体层的上表面上，且介于栅极与漏极之间，且部分阱区位于并连接于第一对准金属硅化物阻挡层正下方。第二对准金属硅化物阻挡层形成于第一对准金属硅化物阻挡层正上方并连接第一对准金属硅化物阻挡层。

本发明授权功率元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种功率元件，其特征在于，包含： 一半导体层，形成于一基板上，该半导体层具有一上表面； 一阱区，具有一第一导电型，形成于该半导体层中，且该阱区位于该上表面下并连接于该上表面； 一本体区，具有一第二导电型，形成于该半导体层中，且该本体区位于该上表面下并连接于该上表面，该本体区于一通道方向上，与该阱区邻接； 一栅极，形成于该上表面上，部分该本体区位于该栅极正下方并连接于该栅极，以提供该功率元件在一导通操作中的一反转电流通道，且邻接该本体区的部分该阱区位于该栅极正下方，以提供该功率元件在该导通操作中的一漂移电流通道； 一源极与一漏极，具有该第一导电型，且该源极与该漏极形成于该上表面下并连接于该上表面，且该源极与该漏极分别位于该栅极的外部下方的该本体区中与远离该本体区侧的该阱区中； 一第一对准金属硅化物阻挡层，形成于该上表面上，且该第一对准金属硅化物阻挡层介于该栅极与该漏极之间，且部分该阱区位于并连接于该第一对准金属硅化物阻挡层正下方；以及 一第二对准金属硅化物阻挡层，形成于该第一对准金属硅化物阻挡层正上方并连接该第一对准金属硅化物阻挡层； 其中，该基板具有一低压区与一高压区，其中该功率元件形成于该高压区； 其中，多个金属氧化物半导体元件形成于该低压区； 其中，该第一对准金属硅化物阻挡层形成于该低压区与该高压区； 其中，该第二对准金属硅化物阻挡层形成于该高压区，且不位于该低压区。

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