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龙图腾网获悉浙江工业大学申请的专利一种碳化硅晶片抛光加工状态在线监测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115922553B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211480337.8，技术领域涉及：B24B37/005；该发明授权一种碳化硅晶片抛光加工状态在线监测方法是由赵文宏;程旭;桂州;沈宽;郭俊阳;黄智明设计研发完成，并于2022-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅晶片抛光加工状态在线监测方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种碳化硅晶片抛光加工状态在线监测方法，包括以下步骤：采集碳化硅晶片研磨抛光完整工况的周期振动信号数据，构建碳化硅晶片研磨抛光材料去除特征数据集；建立加工试验工况库，并将振动信号测试值放入匹配的工况库中；对振动信号进行变分模态分解，获取IMF主分量能量谱；构建实际加工特征指数；建立粒子滤波状态估计模型；通过粒子点进行新特征指数构建，并以此迭代实现碳化硅晶片抛光加工状态在线监测。本发明通过对原始振动信号进行变分模态分解，可以有效去除噪声，获得主能量谱，使得后续分析更加准确，抗干扰能力增强。

本发明授权一种碳化硅晶片抛光加工状态在线监测方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶片抛光加工状态在线监测方法，其特征在于，包括以下步骤： A：采集碳化硅晶片研磨抛光完整工况的周期振动信号数据，构建碳化硅晶片研磨抛光材料去除特征数据集； B：建立加工试验工况库，并将振动信号测试值放入匹配的工况库中； C：对振动信号进行变分模态分解，获取IMF主分量能量谱； D：构建实际加工特征指数； E：建立粒子滤波状态估计模型； F：通过粒子点进行新特征指数构建，并以此迭代实现碳化硅晶片抛光加工状态在线监测； 步骤D通过基准学习、偏移公差计算、特征值构建三个步骤形成自适应特征指标，并进行归一化处理，获得加工状态的实际特征指数；步骤D中自适应特征指标的形成步骤为： D1在基准学习阶段，计算前n次采集处理的IMF主分量能量谱频谱，然后将n次信号频谱的均值作为基准值； D2在偏移公差计算阶段，计算连续5次采集信号的频谱图，并分别分析五次信号均值频谱与基准频谱之间的偏移公差； D3通过步骤D1、D2对不同工况库分别进行特征提取，得到该时间段的特征值，并分别构成特征指标。

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