浙江芯科半导体有限公司李京波获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江芯科半导体有限公司申请的专利近红外偏振光电探测器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115911152B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211583586.X，技术领域涉及：H10F77/12；该发明授权近红外偏振光电探测器及制备方法是由李京波;江美华;霍能杰设计研发完成，并于2022-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本近红外偏振光电探测器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种近红外偏振光电探测器，包括衬底；MoTe2纳米片、GeSe纳米片和MoS2纳米片，MoTe2纳米片、GeSe纳米片和MoS2纳米片依次位于衬底上方，且MoTe2纳米片、GeSe纳米片与MoS2纳米片部分层叠构成垂直异质结；第一电极和第二电极，在与未层叠的MoTe2纳米片上设置第一电极，在衬底与未层叠的MoS2纳米片上设置第二电极。本发明重点在于形成MoS2GeSeMoTe2异质结，近红外偏振光电探测器以MoS2纳米片、GeSe纳米片和MoTe2纳米片为异质结，该异质结以多层MoS2、GeSe和MoTe2二维材料三者的能带排列符合Ⅱ型能带排列方式，实现了高效的电荷转移；另一方面GeSe二维材料本身具有各向异性的特点，在形成的异质结中作为夹层实现了偏振光探测的性能。实现了宽谱波段响应、快速光探测、偏振灵敏和性能稳定的特点。
本发明授权近红外偏振光电探测器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种近红外偏振光电探测器，其特征在于，包括： 衬底； MoTe2纳米片、GeSe纳米片和MoS2纳米片，所述MoTe2纳米片、GeSe纳米片和MoS2纳米片依次位于所述衬底上方，且所述MoTe2纳米片、GeSe纳米片与MoS2纳米片部分层叠构成垂直异质结； 第一电极和第二电极，在所述衬底与未层叠的MoTe2纳米片上设置第一电极，在衬底与未层叠的MoS2纳米片上设置第二电极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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