株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社中川裕治获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利磁头及磁记录装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115910115B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210065035.8，技术领域涉及：G11B5/10；该发明授权磁头及磁记录装置是由中川裕治;高岸雅幸;成田直幸;永泽鹤美;前田知幸设计研发完成，并于2022-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁头及磁记录装置在说明书摘要公布了：提供能够提高记录密度的磁头以及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括磁极、屏蔽件以及非磁性层。所述非磁性层设置在所述磁极与所述屏蔽件之间。所述非磁性层与所述磁极以及所述屏蔽件相接。所述非磁性层包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种第1元素。
本发明授权磁头及磁记录装置在权利要求书中公布了：1.一种磁头，具备： 磁极； 第1屏蔽件，其为尾随屏蔽件和引导屏蔽件中的一方； 第2屏蔽件，其为所述尾随屏蔽件和所述引导屏蔽件中的另一方； 第1侧屏蔽件，从所述磁极向所述第1侧屏蔽件的方向与从所述磁极向所述第1屏蔽件的方向交叉； 第2侧屏蔽件，所述磁极的至少一部分位于所述第1侧屏蔽件与所述第2侧屏蔽件之间；以及 非磁性层， 所述非磁性层包括第1非磁性层、第2非磁性层、第3非磁性层和第4非磁性层， 所述第1非磁性层设置在所述第1屏蔽件与所述第1侧屏蔽件之间，与所述第1屏蔽件以及所述第1侧屏蔽件相接，所述第1非磁性层包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种， 所述第2非磁性层设置在所述第1屏蔽件与所述第2侧屏蔽件之间，与所述第1屏蔽件以及所述第2侧屏蔽件相接，所述第2非磁性层包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种， 所述第3非磁性层设置在所述第2屏蔽件与所述第1侧屏蔽件之间，与所述第2屏蔽件以及所述第1侧屏蔽件相接，所述第3非磁性层包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种， 所述第4非磁性层设置在所述第2屏蔽件与所述第2侧屏蔽件之间，与所述第2屏蔽件以及所述第2侧屏蔽件相接，所述第4非磁性层包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种。
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