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武汉大学刘文娟获国家专利权

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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利压电针式PMUT的血压监测装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115886754B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211260250.X,技术领域涉及:A61B5/021;该发明授权压电针式PMUT的血压监测装置是由刘文娟;卢亮宇;胡博豪;杨超翔;汪泽凯;蔡耀;刘炎;孙成亮设计研发完成,并于2022-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

压电针式PMUT的血压监测装置在说明书摘要公布了:本申请公开了压电针式PMUT的血压监测装置。该血压监测装置包括:一压电传感器模块,其包括依次叠设的衬底、传感器阵列层和封装层,PMUT器件至少部分凸出于封装层的表面,PMUT器件包括依次叠设的压电层和电极层,压电层覆于衬底的顶面,压电层覆于封装层的底面;CMOS电路模块,与压电传感器模块集;可穿戴式装配体,供压电传感器模块、CMOS电路模块安装并用以提供穿戴功能。其中压电传感器模块检测到脉搏并将机械能转换成电能,输出电荷经过数据处理模块,通过动脉脉冲的压电动力学原理,由微处理单元将输出电压波形转换成血压值输出,即可完成血压实时监测功能。本装置操作简单,测量精确,可批量化生产。

本发明授权压电针式PMUT的血压监测装置在权利要求书中公布了:1.一种压电针式PMUT的血压监测装置,其特征在于,包括: 一压电传感器模块,其包括依次叠设的衬底、传感器阵列层和封装层,所述衬底的顶面形成有凸起的针式结构,所述传感器阵列层由至少一PMUT器件排布所形成,所述PMUT器件在所述凸起的针式结构处呈凸起的针状,所述PMUT器件至少部分凸出于所述封装层的表面,所述PMUT器件包括依次叠设的压电层和电极层,所述压电层覆于所述衬底的顶面,所述压电层覆于所述封装层的底面,所述封装层用于通过粘贴层紧贴皮肤; 一CMOS电路模块,与所述压电传感器模块集成,用以将所述压电传感器模块采集的脉搏压力信息处理转换成血压信息; 以及,一可穿戴式装配体,供所述压电传感器模块、CMOS电路模块安装并用以提供穿戴功能。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人武汉大学,其通讯地址为:430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山街道八一路299号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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