京东方科技集团股份有限公司张劲潮获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利光电传感器件和显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115775840B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211475041.7，技术领域涉及：H10F30/282；该发明授权光电传感器件和显示面板是由张劲潮;黄睿;童彬彬;王利忠;徐传祥设计研发完成，并于2022-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本光电传感器件和显示面板在说明书摘要公布了：本申请提供了一种光电传感器件和显示面板，涉及显示技术领域。光电传感器件包括层叠设置在衬底上的栅极、有源层和光生载流子层；所述光生载流子层被配置为在光照下产生光生载流子；所述有源层包括源区、漏区以及设置在所述源区和漏区之间的沟道区，所述沟道区与所述光生载流子层贴合；所述栅极与所述沟道区绝缘设置，且所述栅极上的电压小于所述沟道区的阈值电压。在产生较强电信号的同时结构简单。
本发明授权光电传感器件和显示面板在权利要求书中公布了：1.一种光电传感器件，其特征在于，包括层叠设置在衬底上的栅极、有源层和光生载流子层； 所述光生载流子层被配置为在光照下产生光生载流子； 所述有源层包括源区、漏区以及设置在所述源区和漏区之间的沟道区，所述沟道区与所述光生载流子层贴合； 所述栅极与所述沟道区绝缘设置，且所述栅极上的电压小于所述沟道区的阈值电压； 所述光生载流子层包括掺杂半导体层和本征半导体层，所述本征半导体层与所述沟道区贴合；所述本征半导体层的尺寸大于所述有源层和掺杂半导体层的尺寸；所述本征半导体层与所述沟道区在所述衬底的正投影重合。
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