安徽工程大学陆益敏获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽工程大学申请的专利一种超长焦距薄膜凹面镜阵列的制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115755250B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211362559.X,技术领域涉及:G02B5/09;该发明授权一种超长焦距薄膜凹面镜阵列的制备方法是由陆益敏;杨春来;王海;徐曼曼;奚琳设计研发完成,并于2022-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超长焦距薄膜凹面镜阵列的制备方法在说明书摘要公布了:本发明属于薄膜材料技术领域,具体为一种超长焦距薄膜凹面镜阵列的制备方法,步骤一对基材进行溶剂擦拭、氮气干燥,并放入真空室内;步骤二在基材非镀膜面上施加二维永磁阵列,调整二维永磁阵列、基材、靶材的相对位置;步骤三对真空室进行抽真空至优于1×10‑3Pa的真空度,氩离子清洗基材,时间5~20min;步骤四采用脉冲激光沉积技术实施镀膜,激光对靶材进行二维均匀扫描,镀膜时间为20~30min。使得制备的薄膜凹面镜阵列具有超长焦距的特性,且可通过改变薄膜的膜厚差调节焦距大小,方向性、纠错性均强于同尺寸的单个反射面镜,为空间光探测、光通信提供了更好的反射器件,具有精度高、制作成本较低、可用于科研和通信。
本发明授权一种超长焦距薄膜凹面镜阵列的制备方法在权利要求书中公布了:1.一种超长焦距薄膜凹面镜阵列的制备方法,其特征在于:具体步骤如下: 步骤一对基材2进行溶剂擦拭、氮气干燥,并放入真空室内; 步骤二在基材2非镀膜面上施加二维永磁阵列1,调整二维永磁阵列1、基材2、靶材3的相对位置; 二维永磁阵列1由9~100个相同的长方体单永磁体排列组成,且任意相邻两个单永磁体的N、S极相反;单永磁体的剩磁为0.5~5T、长、宽各为5~30mm,厚度为5~50mm,组成的二维永磁阵列1长和宽分别不小于基材2长和宽的120%;二维永磁阵列1固定于基材2的非镀膜面上,两者间距不大于10mm,保持同步旋转或静置;靶材3为金、银、铝中的任意一种;靶材3的长和宽不小于基材2的长和宽,靶材3与基材2的镀膜面正对且平行,间距50~200mm; 步骤三对真空室进行抽真空至优于1×10-3Pa的真空度,氩离子清洗基材2,时间5~20min; 步骤四采用脉冲激光沉积技术实施镀膜,激光4对靶材3进行二维均匀扫描,镀膜时间为20~30min。
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