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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利扇出检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115733485B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211439256.3，技术领域涉及：H03K19/094；该发明授权扇出检测方法是由杨占海;邱安平设计研发完成，并于2022-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本扇出检测方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种扇出检测方法，获取目标电路中元器件的物理参数和连接导线的寄生参数，以及标准电路中元器件的物理参数，并根据目标电路中元器件的物理参数和连接导线的寄生参数，以及标准电路中元器件的物理参数，从而能够准确计算目标电路相对于标准电路的实际扇出，有效获得目标电路的实际扇出。并在目标电路相对于标准电路的实际扇出和标准电路的标准扇出之间的比值未达到目标比值时，调整目标电路中元器件的电阻和或电容，直至实际扇出和标准扇出的比值达到目标比值，以使目标电路的实际扇出达到目标扇出，从而有效调整目标电路的实际扇出至目标扇出，有效调整目标电路的驱动能力。

本发明授权扇出检测方法在权利要求书中公布了：1.一种扇出检测方法，其特征在于，包括： 获取目标电路中元器件的物理参数和连接导线的寄生参数，以及标准电路中元器件的物理参数，所述物理参数包括所述元器件的电阻和电容，所述标准电路具有对应的标准扇出； 根据所述目标电路中元器件的物理参数和连接导线的寄生参数，以及所述标准电路中元器件的物理参数，计算所述目标电路相对于所述标准电路的实际扇出； 若所述实际扇出和所述标准扇出的比值未达到目标比值，调整所述目标电路中元器件的电阻和或电容，直至所述实际扇出和所述标准扇出的比值达到所述目标比值，以使所述目标电路的实际扇出达到目标扇出； 所述元器件包括：P型晶体管和N型晶体管，所述标准扇出包括第一标准扇出，所述第一标准扇出对应所述标准电路中的P型晶体管的扇出，所述寄生参数包括寄生电容； 所述根据所述目标电路中元器件的物理参数和连接导线的寄生参数，以及所述标准电路中元器件的物理参数，计算所述目标电路相对于所述标准电路的实际扇出，具体包括： 根据所述目标电路中P型晶体管的电阻和电容、N型晶体管的电容以及连接导线的寄生电容，所述标准电路中P型晶体管的电阻和电容、N型晶体管的电容，计算所述目标电路的第一实际扇出； 相应地，所述若所述实际扇出和所述标准扇出的比值未达到目标比值，调整所述目标电路中晶体管的电阻和或电容，直至所述实际扇出和所述标准扇出的比值达到所述目标比值，具体包括： 若所述第一实际扇出和所述第一标准扇出的比值未达到第一目标比值，调整所述目标电路中晶体管的电阻和或电容，直至所述第一实际扇出和所述第一标准扇出的比值达到所述第一目标比值。

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