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胜高股份有限公司尼崎晋获国家专利权

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龙图腾网获悉胜高股份有限公司申请的专利硅单晶制造装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115704105B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210950234.7,技术领域涉及:C30B15/10;该发明授权硅单晶制造装置是由尼崎晋设计研发完成,并于2022-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。

硅单晶制造装置在说明书摘要公布了:本发明提供一种硅单晶制造装置1,具备:腔室50;坩埚51,配置在腔室50内;辐射温度计3,具有检测来自测量对象的辐射光的检测元件16、将辐射光聚光于检测元件16的透镜15、用来目视确认测量对象的取景器17、以及中心与透镜15的光轴A一致的标记MK;摄影装置5,经由取景器17将标记MK及测量对象摄影;显示装置13,显示所摄影的标记MK及测量对象;照明装置63,将测量对象照明以便能够摄影;以及调整装置4,在能够调整借助辐射温度计3进行测量的测量位置的状态下支承辐射温度计3。

本发明授权硅单晶制造装置在权利要求书中公布了:1.一种硅单晶制造装置,其特征在于, 具备: 腔室; 坩埚,配置在前述腔室内; 辐射温度计,具有检测来自测量对象的辐射光的检测元件、将前述辐射光聚光于前述检测元件的透镜、用来目视确认前述测量对象的取景器、以及中心与前述透镜的光轴一致的标记; 摄影装置,经由前述取景器将前述标记及前述测量对象摄影; 显示装置,显示所摄影的前述标记及前述测量对象; 照明装置,将前述测量对象照明以便能够摄影; 坩埚轴,能够拆装地安装前述坩埚,使前述坩埚旋转及升降驱动; 坐标板,能够拆装地安装在前述坩埚轴,被前述摄影装置摄影;以及 调整装置,在能够调整借助前述辐射温度计进行测量的测量位置的状态下支承前述辐射温度计,以前述坐标板上的目标位置和前述标记的中心一致的方式被操作。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人胜高股份有限公司,其通讯地址为:日本东京都;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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